Заявлин В.Р.

 Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь, выполненный из пластины монокристаллического кремния с концентрацией легирующей примеси - 1015-1017 см-3, имеющей p-n переход, омические контакты к легированной и базовой областями расположенные с двух сторон просветляющие и защитные покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерения температуры, участок...

 Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь с двухсторонней чувствительностью на основе материала с низкой диффузионной длиной неосновных носителей, содержащий базовую область с расположенными под рабочими поверхностями слоями с противоположным базовой области типом проводимости и контакты, нанесенные на базовую область и слои с противоположным типом проводимости, отличающийся тем...