Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь
Патент 743506
Авторы
- Балтянский Г.А.
- Бордина Н.М.
- Далецкий Г.С.
- Дорохина Т.П.
- Заявлин В.Р.
- Каган М.Б.
- Летин В.А.
- Любашевская Т.Л.
- Рябиков С.В.
- Чернов Я.И.
Классы МПК
Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь
Реферат
Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь с двухсторонней чувствительностью на основе материала с низкой диффузионной длиной неосновных носителей, содержащий базовую область с расположенными под рабочими поверхностями слоями с противоположным базовой области типом проводимости и контакты, нанесенные на базовую область и слои с противоположным типом проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения его эффективности, слои с противоположным типом проводимости расположены друг от друга на расстоянии, превышающем диффузионную длину не менее чем на порядок, при этом на одну из рабочих поверхностей выведены участки базовой области, примыкающие к торцам фотопреобразователя, на которых расположен контакт П-образной формы.