Далецкий Г.С.

  № 140590 Класс 42с, 12 42с, 13 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа № !б5 В. М. Долгов, Г. С, Далецкий и А. К. Зайцева УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПЛОЩАДИ ПЛОСКИХ ФИГУР Заявлено 18 октября 1960 г. за Ко 682423(28 в Комитет по делам изобретении и открытий прн Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюл, етене изобретений ¹ 16 a 196 . г. Известны устр...

 (19)SU(11)206734(13)A1(51)  МПК 6    H01L31/05(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.11.2012 - нет данныхПошлина: (54) СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ В известных конструкциях солнечных батарей фотопреобразователи крепятся к гибкой ткани, обладающей электроизоляционными свойствами, при помощи специальных клеев. Предложенная солнечная бат...

 Оптический датчик направления, содержащий пространственно-симметричные воспринимающие фигуры, по образующим боковых поверхностей которых размещены мозаичные блоки фотоприемных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в нем воспринимающие фигуры помещены во внутреннюю область отражателя, выполненного в виде круглого прямого усеченного конуса, радиус меньшего ос...

 (19)SU(11)562155(13)A1(51)  МПК 6    H01L31/05(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ Изобретение относится к устройствам предназначенным для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую с помощью полупроводниковых фотопреобразователей. В известных конст...

 1. Способ изготовления кремниевых фотопреобразователей с диффузионно-легированным слоем на фронтальной поверхности и изоотипным барьером на тыльной поверхности, состоящий в резке, механико-химической обработке кремниевых пластин, формировании n+ и p+-слоев и нанесении контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД фотопреобразователей, тыльную поверхность пластин бомбардируют ион...

 Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь, выполненный из пластины монокристаллического кремния с концентрацией легирующей примеси - 1015-1017 см-3, имеющей p-n переход, омические контакты к легированной и базовой областями расположенные с двух сторон просветляющие и защитные покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерения температуры, участок...

 Гибкая фотоэлектрическая батарея на основе полупроводниковых фотопреобразователей, соединенных последовательно с помощью гибких коммутирующих шин так, что между областями соединения шин с фотопреобразователями имеется свободный участок, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности, последовательно соединенные фотопреобразователи расположены внахлест и область соединения каждой шины п...

 Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь с двухсторонней чувствительностью на основе материала с низкой диффузионной длиной неосновных носителей, содержащий базовую область с расположенными под рабочими поверхностями слоями с противоположным базовой области типом проводимости и контакты, нанесенные на базовую область и слои с противоположным типом проводимости, отличающийся тем...

 1. Солнечная батарея с шунтирующими диодами, содержащая каркас с несущей подложкой, модули скоммутированных солнечных элементов и шунтирующие диоды, отличающаяся тем, что, с целью увеличения надежности и ресурса батареи, перпендикулярно тыльной стороне подложки расположены полосы из диэлектрика, одна сторона которых содержит металлизированные участки, на которых расположены шунтирующие ди...