Стась В.Ф.

 Способ изготовления варикапов, включающий облучение протонами и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения чувствительности варикапов к малым напряжениям, облучение проводят протонами с энергией, для которой параметры Rp и Rp удовлетворяют условию Lpn< Rp-4Rp< Lpn+LD, где Lpn - требуемая глубина залегания металлургичес...

 Способ получения структуры "кремний на изоляторе", включающий имплантацию в кремниевую подложку ионов кислорода (азота) с дозами и энергиями, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния (нитрида кремния) под слоем кремния, и нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структуры, имплантацию и нагрев проводят в два этапа: на первом этапе имплантируют часть...

 Способ получения структур "кремний на изоляторе", включающий имплантацию ионов кислорода или азота в кремниевую подложку с энергиями и дозами, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния или нитрида кремния под слоем кремния, в два этапа на первом этапе имплантируют часть кремниевой подложки так, чтобы имплантированные области чередовались с неимплантированными, и пров...

 Использование: полупроводниковая технология, создание структур кремний-на-изоляторе для производства современных сверхбольших интегральных схем и других изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе состоит в имплантации водорода в интервале доз 2,51016 - 51016 см-2 в первую пластину кремния через тонкий защитный слой окисла толщиной 20...