Крапухин В.В.

  ЛЬ с)4371 Класс 40а, 34-„ C Å I1) й, J ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН IR К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Л. Б. Малинкович, Г. С. Полетаев, И. Д. Шер,)ин, li. А. Соколовский, Д. Е. Наумо.кпн. М. И. Ро: «1.:011 и В. В. Крапухин УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ПОЛУЧЕНИЯ ЦИНКОВОЙ ПЫЛИ И ОКИСИ ЦИНКА Заявя»HQ 6 октября 19-10 г. 33 .Й 1053«3, 0010 В 1 остох)1;:я)- (:(Х .Р Установки д:1я получения цинкоВой...

  № 120329 Класс 40а, 4620 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Г. Н. Зайченко и В. В. Крапухин СПОСОБ ПОДАЧИ ВОДОРОДА В МУФЕЛЬНЫЕ ИЛИ ТРУБЧАТЫЕ ПЕЧИ ДЛЯ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ВОЛЬФРАМОВОГО АНГИДРИДА Заявлено 5 ноября 1958 г. за ЛЪ 611169/22 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР В электрических печах для восстановления вольфрамово...

 Использование: в электронной промышленности. Сущность изобретения: первый вариант изобретения характеризуется тем, что в выпрямительном диоде Шоттки омический контакт выполнен в виде монокристаллического цилиндра из металла с объемно-центрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100) и температурой плавления выше температуры плавления кремния, на внешней поверхности...

 Использование: в электронной технике, при конструировании и в технологии изготовления выпрямительных полупроводниковых диодов с p-n переходами. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются исключение краевого эффекта, увеличение напряжения пробоя, снижение уровня электротепловой и магнитотепловой деградации и повышение уровн...

 Использование: в электронной технике, при конструировании и в технологии изготовления лавинно-пролетных полупроводниковых диодов, в электронной промышленности, в радиоэлектронике в качестве активных элементов генераторов и усилителей СВЧ. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются подавление краевого эффекта, повышение мощ...

 Изобретение относится к электронной техникe, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых сверхвысокочастотных (СВЧ) диодов Ганна, и может быть использовано в электронной и радиоэлектронной промышленности. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются повышение выходной мощности СВЧ-колебаний и сн...

 Использование: в области электронной техники, в частности при конструировании и изготовлении биполярных полупроводниковых транзисторов, также может быть использовано в электронной промышленности в схемах усиления, генерации, преобразования электромагнитных колебаний и других. Сущность изобретения: в биполярном транзисторе вырожденный монокристаллический кремниевый n+-типа слой выращен в в...

 Использование: в области электронной техники, в частности при конструировании и изготовлении полупроводниковых кремниевых управляемых тиристоров многослойной структуры. Сущность изобретения: в тиристоре вырожденный монокристаллический кремниевый n+-типа слой выращен в виде полого цилиндра, на внутренней поверхности которого сформирован металлический катодный контакт в виде двух цилиндриче...

 Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к конструированию и технологии изготовления полевого транзистора с изолированным затвором, и может быть использовано в силовой промышленной электронике и электротехнике при производстве приборов управления токами большой величины. Сущность изобретения: вырожденный монокристаллический кремниевый n+типа слой стока полев...