Зенин В.В.

 Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. Цель - повышение надежности приборов за счет предотвращения образования контактов внешних выводов с проводящими участками поверхности кристаллов. Для этого при изготовлении приборов на основе кремниевых структур с диэлектрической изоляцией приборных элементов контактны...

 Использование: в винодельческой промышленности, а именно в устройствах для производства игристых вин в непрерывном потоке. Сущность изобретения: устройство содержит вертикально установленный цилиндрический резервуар с коническим дном, патрубками ввода бродильной смеси и вывода шампанизируемого вина, соединенный с патрубком ввода бродильной смеси рассеиватель и расположенную на решетке в р...

 Использование: в винодельческой отрасли пищевой промышленности. Сущность изобретения: способ производства игристых вин в непрерывном потоке в одноемкостном однокамерном аппарате предусматривает предварительную подготовку бродильной смеси, подачу ее в нижнюю надконическую часть с рассеиванием по внутреннему периметру, автолиз сформированного шампанизируемого вина вместе с 20 - 30% отработа...

 Изобретение относится к защите изделий от коррозии, в частности приборов, содержащих контакты алюминий-золото, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Способ защиты от коррозии микросварных контактов алюминий-золото заключается в том, что перед герметизацией полупроводниковых приборов и интегральных схем контакты обрабатывают ингибитором сл...

 Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем безфлюсовой пайки и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпуса полупроводниковых приборов путем пайки припоями на основе свинца. Технический результат изобретения заключается в упрощении технологического процесса нанесения покрытия на паяемую поверхность кристалла, улучшении смачивания и растекан...

 Использование: в области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки на воздухе без применения защитных сред, может быть использовано при сборке диодов Шоттки и биполярных транзисторов путем пайки полупроводниковых кристаллов к корпусам припоями на основе свинца. Сущность изобретения: способ сборки полупроводниковых приборов заключается в том, что на основании корпуса...

 Инструмент может быть использован для присоединения проволочных выводов в производстве полупроводниковых приборов для силовой электроники. Продольная канавка инструмента выполнена в виде равнобочной трапеции с размерами в нижнем основании 1,0 d, в верхнем - 0,75 d и высотой 0,6 d, где d -диаметр привариваемой проволоки. Радиус закругления передней кромки рабочей площадки инструмента равен...

 Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для группового контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий. Установка для контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий содержит механизм приложения отслаивающей нагрузки, выполненный в виде вакуумной головки и состоящий из вакуумной камеры и системы вакуумных отсеков, расположенных нап...

 Изобретение может быть использовано в микроэлектронике, например, при подготовке медных корпусов транзисторов с серебряным покрытием перед пайкой полупроводниковых кристаллов. С поверхности изделия перед пайкой удаляют сульфидную пленку Ag2S путем отжига в кислороде при 250-350oС в течение 15-45 мин. Способ позволяет упростить технологический процесс, повысить качество очистки поверхности...

 Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления контактных столбиков на полупроводниковом кристалле заключается в том, что к контактным площадкам нагретого выше температуры плавления припоя кристалла опускают проволоку из припоя и выдерживают ее до расплавления нижней части с образованием шарика. Новым является то, что отрезки...

 Использование: при изготовлении мощных полупроводниковых приборов и БИС при сборке кремниевых кристаллов в корпуса путем пайки припоями, не содержащими свинец. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов больших размеров в корпуса предусматривает напыление алюминия толщиной 0,7-1,2 мкм на коллекторную сторону кристалла и пайку к корпусу, покрытому припоем. При этом на алюминий на коллекто...

 Изобретение может быть использовано для присоединения внутренних выводов в производстве мощных полупроводниковых приборов. Инструмент содержит стержень с прямоугольным боковым отверстием для подачи привариваемого вывода. Стержень имеет рабочую площадку с продольной канавкой. Продольная канавка имеет высоту до 0,8а и ширину до 1,2б, где а - толщина, а б - ширина привариваемого вывода. Спос...