Колычев А.И.

  СОЮЗ СОЬЕТСКИХ СОЦШЛИСТИЧЕСМИХ РВСПУВЛЖ ГОСКДМСТВКННОК ШтюктНОК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯЬФ К:АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (21) 342651 f/25 (22) 05.0232 (46) 15,1293. 6en; Ne 45-.45 (72) nyujeeo B.H„Kenwes АИ„Решена ГЗ,

 Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при промышленном изготовлении полупроводниковых структур, в частности интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности структур путем создания беспористого защитного диэлектрического покрытия. Способ изготовления полупроводниковых структур включает следующие операции: формирование в полупроводниковой подложке обл...

 Изобретение относится к области электронной техники и используется при изготовлении оснований корпусов приборов. Цель изобретения снижение стоимости приборов за счет исключения применения золота при увеличении их надежности. Металлические детали основания корпуса покрывают сплавом никель-бор для защиты от окисления. Затем на это покрытие, в зону пайки кристалла, наносят дополнительное пок...

 Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. Цель - повышение надежности приборов за счет предотвращения образования контактов внешних выводов с проводящими участками поверхности кристаллов. Для этого при изготовлении приборов на основе кремниевых структур с диэлектрической изоляцией приборных элементов контактны...

  Сущность изобретения: в вырубленной заготовке металлической выводной рамки осуществляют занижение монтажной площадки до образования зазора между лицевой поверхностью монтажной площадки и тыльной стороной выводных траверс, в который вводят диэлектрическую пластину. 2 ил. Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов, в частности к их сборке в пластмассовых корпусах. Изве...

 Изобретение относится к защите изделий от коррозии, в частности приборов, содержащих контакты алюминий-золото, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Способ защиты от коррозии микросварных контактов алюминий-золото заключается в том, что перед герметизацией полупроводниковых приборов и интегральных схем контакты обрабатывают ингибитором сл...