PatentDB.ru — поиск по патентным документам

РЫЖИКОВ В.Д.

Изобретатель РЫЖИКОВ В.Д. является автором следующих патентов:

Способ получения омического контакта

Способ получения омического контакта

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А"-В^' п-типа путем нанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кислородсодержащей среде, отличающийс я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190-220°С в...

698450

Устройство для регистрации ионизирующих излучений

Устройство для регистрации ионизирующих излучений

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ, содержащее выполненные из полупроводниковых сое динений сцинтиллятор и фотоприемник, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности и надежности устройства, фотоприемник интегрально выполнен на материале сцинтиллятора в виде слоя твердого раствора соединения .А , причем толдина слоя составляет 200-300 длин волн излучен...

766294

Полупроводниковый сцинтилляционный материал

Полупроводниковый сцинтилляционный материал

  ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СЦИН- ТИЛЛЯЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ на основе соединения А В с активирующей добавкой одного из компонентов, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности и расширения спектрально-го диапазона люминесценции, материал дополнительно содержит вторую добавку одного из компонентов, образующую с исходным соединением твердый раствор замещения, при этом в качестве актива...

826769

Устройство для регистрации ионизирующих излучений

Устройство для регистрации ионизирующих излучений

  СОКЗЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (5!)5 G 01 Т 1/20 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ .,„H АВТОРСКОМ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3442866/25 (22) 26.05,82 (46),07е02.93. Бюл. Н 5 (72) В.H,Êîìàùåíêo, Е.БеКруликовская, И.АеМазин, В.Д.Фурсенко, В.Г,Чалая, В.P,„Ðûæèêoâ, ОзП.Вербицкий и В.И.гилин (56) Патент США t-" 2821633, кл. 250"...

1060035

Сцинтилляционный материал

Сцинтилляционный материал

  1СЦИНТИЛЛЯЦИбННЫЙ МАТЕРИАЛ , для детекторов ионизирующих излучений , состоящий из кристаллов сцинтиллятора и органической дисперсионной среды, о т ли чающийся тем, что. с целью расширения вида регистрируемого ионизирующего излучения при повышении его радиационной стойкости, он содержит в Изобретение относится к технике люминофоров , а именно к сцинтиляционным материалам , использ...

1075726


Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений и способ его получения

Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений и способ его получения

  091 Н!) СОЮЗ СОЕЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 L 31/0296, G 01 Т 1/20 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ. В» ГОСУДАРСТВЕНКЬ1Й КОМИТЕТ СССР flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЭ (46) 15.02.93. Бил. K - 6 (21) 4065878/25 (22) 05.05.86 (72) В.Д.Рыкиков, О.П.Вербицкий, Е.М.Селегенев и В.И.Силин (56) Авторское свидетельство СССР N- 766294, кл. G 01 Т 1/20...

1436794

Устройство для радиационного контроля

Устройство для радиационного контроля

  Изобретение относится к области дозиметрии иони9ирую гщх излучений и может быть и-спользовано в технике сцинтилляционных детекторов нонизирующих излучеш5й. Цель - распирение диапазона регистрируемых моиностей доз радиации. Непосредственно на,поверхности сцннтиллятора выполнены два фотодиода, примем один фотодиод работает в лавинном режиме, а сцинтиллятор и фотодиоды вьтолнены на...

1457604

Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка

Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка

  кинский и М.LLl.eàéíåð (56) Карлов Н.В., Сисякин Е.В. Оп1ические материалы для СО2-лазеров. Известия АН СССР, сер, "Физическая", 1980, т,41, й. 8, с.1631 — 1638. Авторское свидетельство СССР M. 1111516, кл, С 30 В 33/00, 1982, (54) СПОСОБ TE: РМООБРАБОТКИ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ СЕЛЕНИДА ЦИНКА Изобрета 1ие 01»осится к получению материалов, приме»яемых в oлектронно л прибо...

1526303

Способ термообработки сцинтилляционных кристаллов

Способ термообработки сцинтилляционных кристаллов

  Изобретение относится к термообрабс |Тке сцинтилляционных кристаллов , которые могут быть использованы лл гаммарегистрации и спектрометрии квантов. Цель изобретения улучшение сцинтилляционных параметров кристаллов германата висмута и увеличение выхода годных. Способ включает нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/ч до 950-1030 с, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2,...

1609211

Способ обработки кристаллических элементов на основе селенида цинка

Способ обработки кристаллических элементов на основе селенида цинка

  Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, используемых в электронном, ядерном приборостроении, лазерной силовой оптике , в детекторах ионизирующих излучений. Обеспечивает увеличение прозрачности элементов. Обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке водорода в течение 3-10 ч для элементов с исходным коэф...

1630334


Комбинированный детектор для рентгеновской вычислительной томографии

Комбинированный детектор для рентгеновской вычислительной томографии

  Изобретение относится к регистрации рентгеновского излучения, применяемого в сканирующих системах, компьютерных томографах. Цель изобре-тения - улучшение разрешения изображения по контрасту за счет уменьшения записимости амплитуды сигнала детектора от спектрального состава излучения при сохранении высокой эффектипности рентгенопреобрязовпния и малом послесвечении . Цель достигает...

1639272