Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка

Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

<;OIC)З СОНГ!СКИХ

СОЦИЛЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБ!1ИК (sI1s С 30 В 33/00, 29/46

ГОСУДЛРСТBE I 1НОЕ ИЛТЕ ITHOE

BFQOMCTBO СССР (ГОСПЛТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К AHTOPCKOM) СВИДЕТЕЛЬСТВУ! (1М

1()

1О

6с) (21) 4378161/26 (22) 18,02,88 (46) 07.05.93. Б ол. ГФ 17 (72) Л.П,Гальчинецкий, В,Д,Рыжиков, Н.Г.Стар>кинский и М.LLl.eàéíåð (56) Карлов Н.В., Сисякин Е.В. Оп1ические материалы для СО2-лазеров. Известия АН

СССР, сер, "Физическая", 1980, т,41, й. 8, с.1631 — 1638.

Авторское свидетельство СССР

M. 1111516, кл, С 30 В 33/00, 1982, (54) СПОСОБ TE: РМООБРАБОТКИ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ СЕЛЕНИДА ЦИНКА

Изобрета 1ие 01»осится к получению материалов, приме»яемых в oлектронно л приборостроении, лазерной силовой оптике и технике, в,л эзер»ой cIIQK1 pocKolliIII, li может быть ис110льзовано, например, при разработке l.lollII!b!x СО2-лазеров, оптических затворов LI л1одуля10рон, Целью 11306pQ!oIII1.! является уменьшеIIèå козфф.1цие» га опти (col;oro поглощения в инфракрасной области, Гl р и r1 е р i. Из крис1алла селенида цинка, получел»1010 выращиванием из расплава под давле»ием арго»а, вырезают диски диаметром 25 мм и толщи <ой 6 мм.

Проводят их шлифсвку и полировку. ГlолучаIo1 оптические злел10 лы диамеl ром 25 rlì и т 0 л щ и и 0 1 5 л1 л1 с 0 и T I I I е с к и и О л и Г1 0 в а н I I 6! м и рабочими поверхностял;и. Затем о»1и1еские элеме»òû»01лещаlol в кварцеву!0 àM пулу обьел1ол1 150 сл1, в I:osopylo добавляют з

»энеску теллур», /,oc ;.I!o«»ylo для получения насыщенного пара. Аrlr!yny с оптическим и э fl е м е и т э 11 ll u ll а в с с к О l1 т е л л у р а вакуул1ирую1 до 10 мм рт.сг. и помещают в

„„5U „„1526303 А1 (57) Изобретение относится к обработке кристаллов, конкретно селенида цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области. Иэ кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент. Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при 1000-1050" С в течение 40-44 ч, Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения по длине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл. электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до 1000 С, выдержива1от при этой тем11ературе 40 ч, зател1 печь выключают. После остывания печи до комнатной температуры а лпулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощения, которые оказыва1отся равными 3 10 с л -1

Пример 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют температуру и длительность термообработки, Полученные данные по коэффициентам поглощения элементов приведены в таблице, Таким образом, из примеров видно, что способ по изобретению позволяет по сравнению с прототипом уменьшить коэффициент оптического поглощения 0111ических элементов из кристаллов селенида цинка на

1-2 порядка, Способ обеспечивает дости>кение высокой оптической однородности состава материала, что обусловливается увели <ение его лучевой прочнос1и.

1526303 и с я тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглощения в инфракрасной области, термообработку проводят в атмосфере насыщенного пара теллура при

5 нагреве до 1000 — 1050 С в течение 40 — 44 ч.

Формула изобретения

Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве. о т л и ч а ю щ иПримечание

Ко эффициент оптического

Пример

Темп е ратура термообрао ботки, С

Длительность термообработки, ч поглошения

Ье длине волны

10,6 мкм, см

1 10 эо,о

950

Процесс экстракцин примеси и рассасывания неоднородностей прошел не полностью

3 10 Процесс экстракции примеси и рассасывания неоднородностей завершился полностью

Не изме-. Наблюдается сублимаряется ция материала, подплавление краев элементов, ухудшается класс обработки оптических поверхностей

44,0

1050

1100

50,0

4 (прототип) 1 1 О. 1

2,5

400

Составитель В. Безбородова

Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор Ливринц

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 1972 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035. Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5