C30B33 - Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B 31/00 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D 5/00)

Патент ссср 280450

О П И С А Н И Е 280450 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 21. т/1.1968 (№ 1249510/23-26) с присоединением заявки № Приоритет Кл, 12g, 17/00 МПК В Olj 17/00 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистрое СССР Опубликовано ОЗЛХ.1970. Бюллетень № 28 УДК 548.55(088.8) Дата о...

280450

Способ повышения прочности механически обработанных изделий из кристаллов корунда

28498I ПИСАНИЕ Союз Советскиз Соцналистическна P спублик ; ..ъ 1 СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства ¹ Кл. 1,2m, 9/00 Заявлено 09,VI I.1969 (№ 1346644 l23- 26) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 29.Х.1970. Бюллетень № 33 Дата опубликования описания 5.1.1971 Ноюнтет по делам изобретений и открытий при Совете ткинистроа СССР МПК С 0lf 9/00 УДК 6...

284981

Способ исправления механических двойников

О П И С А Н И Е 29l874 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Респтблии Зависимое от авт. свидетельства № МПК С 01f 11/00 Заявлено 20.1.1969 (№ 1299625/29-33) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовало 06.1.1971. Бюллетень № 4 Дата опубликования описания 19.II.1971 Комитет по делам изобретений и открытиб при Совете Министров СССР УДК...

291874

Способ термообработки монокристаллов твердых растворов галогенидов таллия

О П Союз Советскнк Соцналнстнческнх Республик

593349

Способ получения плоских сцинтилляционных изделий

(19)SU(11)713016(13)A1(51) МПК 6 C30B33/00, C30B29/12, G01T1/20(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛОСКИХ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ИЗДЕЛИЙ Предлагаемое изобретение относится к технологии получения изделий из монокристаллов, в частности, к способам получения плоских...

713016

Способ получения ювенильных поверх-ностей b двойникующихся кристаллах

Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ .СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-вувЂ” (22) Заявлено 03. 02. 77 (21) 2450082/23-26 (51) M. Кл. с присоединением заявки М (23) Приоритет С 30 В 33/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий Опубликовано 23.0381. Бюллетень Мо 11 Дата опубликования описания ? 50381 (...

815091

Устройство для изготовления изделий из щелочно-галоидных кристаллов

Союз Соввтскик Социалистичвскик Республик ОП ИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ()912779 (6I ) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 18.07.80 (21) 2959584/23-26 (5 I ) М. Кл. С 30 В 33/00 с присоединениеаа заявки № (23) Приоритет! Ьеудерстеалвй кемлтет СССР ае делам нзаеретеекй к еткрытлй Опубликовано 15.03.82. Бюллетень № 10 (53) УДK 621.315. .592 (088...

912779

Способ контактного плавления ионных кристаллов

Союз Советск«к Соцнапистичеси«к Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ iii926089 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51)M. Кл. (22) Заявлено 29. 10. 80 (21) 3001474/23-26 с присоелиненнем заявки М С 30 В 33/00 Государственный комитет СССР (23) Приоритет оо делам изобретений и открытий Опубликовано 07.05.82. Бктллетень йе17 Дата опубликования описания 0...

926089

Травитель для выявления дислокаций в кремнии на плоскости (100)

О П И С А Н И Е g4ygg3 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскии Социалистичеасив Рек убиии К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-вувЂ” (22) Заявлено 081280 (21) 3212020/23-26 Р1 ) М. КЛ. С ЗО В ЗЗ/00 с присоединением заявки №вЂ” (23) ПриоритетвЂ” Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий (33) УДК 621. 315 .592(088.8) Опубликовано 3007.82. Бюллетень...

947233

Способ определения дислокаций в кристаллах

Союз Советских Социалистических Республик ©П ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ii 971923 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 29.12.80 (21) 3227353/23 вЂ” 26 с присоединением заявки № (28) Приоритет (51) M. Кд. С 30 В 33/00 Гооударотеенный комитет до делан изобретений н отнрытнй Опубликовано 07.11.82. Бюллетень № 41 Дата опубликования описания 07...

971923

Способ определения четности числа плоскостей двойникования в дендритах веществ со структурой алмаза

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик 973676 / и:-.. г К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено13.05. 81 (21) 3287513/23-26 с присоединением заявки М(23) Приоритет- . Опубликовано 155132. Бюллетень Мо42 Дата опубликования описания 15. 11. 82 tS1) M. Кп. С 30 В 33/00 Государственный комитет СССР. по делам изобрете...

973676

Способ определения кристаллографической ориентации монокристаллов с оцк-решеткой

ЬП ИСАНИЕ ИЗЬВРЕТЕ Н ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (»)1000477 (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 01.04.81 (21) 3271374/23-26 с присоединением заявки №вЂ” (23) ПриоритетвЂ” (51) М Кл з С 30 В 33/00 Гесударствелньа кемлтет СССР (53) УДК 621.315.592 (088.8) Опубликовано 28.02.83. Бюллетень № 8 да делам лзабретекий и е...

1000477

Способ термообработки полупроводников и устройство для его осуществления

1. Способ термообработки полупроводников , включающий нагрев-образца и воздействие на него электрического поля, отличающий-с я тем, что, с целью увеличения подвижности носителей тока, обработку ведут в ионизированной среде при пропускании через образец тока напряжением не более 300 в. 2. Устройство для термообработки полупроводников, включающее контейнер для размещения образца,г...

1068554

Способ химического травления монокристаллов пентабората калия

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПЕНТАБОРАТА КАЛИЯ , отличающийся тем, что, с целью получения четкой дислокационной картины на грани СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 28икм ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР Е М 3 РЕТЕНИ И ОТКРЫТИЙ (21) 3451604/23-26 (22) 14.04.82 (46) 23.02.86. Бюл. К- 7 (71) Научно-исследовательский институт физики конденсированных сред Ере...

1075600

Способ обработки монокристаллов хлорида натрия

СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ХЛОРИДА НАТРИЯ, включающий нагрев и ионизирующее облучение, отличающийся тем, что, с целью очистки от водорода монокристаллов без их разрушения, облучение ведут при 350-450°С в вакууме. СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК З1511 С 30 В 33/00 опислник изоьитения К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР IlO ДЕЛАМ ИЗ...

1109485

Способ обработки монокристаллов корунда

СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА, ы - А t О J, включающий облучение их потоком электронов, , отличающийся тем, что, с целью повьппения прозрачности монокристаллов в ультрафиолетовой области спектра, обработку ведут потоком электронов с энергией 210 510 эВ дозой Ю эл/см. (Л ел л г 1 Ю fff tO Доза oS f fftn/Jt, 3A./fff СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН 4151) С...

1111515

Способ сращивания кристаллов

СПОСОБ СРАЩИВА{даЯ КРИСТАЛЛОВ , включающий полировку сопрягаемых поверхностей кристаллов, их совмещение , нагрев в вакууме или атмосфере инертного газа и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повьшения точности соответствия геометрической формы границы раздела форме сопрягаемых поверхностей сращиваемых кристаллов, уменьшения термоупругих напряжений и увеличения градиента кон...

1116100

Травитель для полировки монокристаллов висмута

ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛИРОВКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТА, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты , отличающийся тем, что, с целью одновременного выявления дислокационной структуры, он содержит компоненты в следующем соотношении, об.ч. : Азотная кислота (плотность 1,36) 2,5-5,0 Уксусная кислота (ледяная)7-9 Плавиковая кислота СОЮЗ СОНЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН. SU„„1...

1142532

Способ термообработки детекторов рентгеновского и мягкого гамма-излучения

СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ ДЕТЕКТОРОВ РЕНТГЕНОВСКОГО И МЯГКОГО ГАММАИЗЛУЧЕНИЯ на основе монокристаллов йодистого натрия, активированных таллием , включающий отбор детекторов по задаваемому параметру, их нагрев до температуры термообработки, выдержку и охлаждение, отличающийс я тем, что, с целью увеличения параметра пик/долина и сокращения продолжительности термообработки, отбор ведут...

1154383

Кассета для жидкофазной обработки поверхности подложек

КАССЕТА ДЛЯ ЖЦЦКОФАЗНОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК, содержащая корпус с осевым отйерстием, основание с пазами для размещения подложек и фиксатор для их крепления , отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности обработки и защиты поверхности подложек от загрязнений в межоперационный период, основание кассеты выполнено в виде параллельно расположенных распределяющих тр...

1168635

Способ удаления налета с поверхности профилированных кристаллов сапфира

СПОСОБ УДАЛЕНИЯ НАЖТА С ПОВЕРХНОСТИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА ПУТЕМ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СМЕСЬЮ, содержащей серную кислоту, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии , повьппения качества поверхности и прозрачности кристаллов, смесь дополнительно содержит азотную кислоту и воду при следующем соотноше- . НИИ компонентов, об.ч.: Серная кислота (конц.) 3 Азотная...

1172946

Способ травления кристаллов висмута

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ .ВИСМУТА в растворе, содержащем, .об.ч. . Азотная кислота (плотность 1,36) 2,5 - 5,0. Уксусная кислота (ледяная) 7-9, Плавиковая кислота СОЮЗ COBETCHHX 0 Н РЕаЪЬЛИН (l 9) (! 1) А (Sl)4 С 30 В 33/00 29/02 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н ABTOPGHOlNY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДФРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 367967.1/23-26 (22) 23.12..8...

1175977

Способ создания лазерноактивных центров окраски tl°va*99+ в кристаллах kcl-tl

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ TL°VA+ В КРИСТАЛЛАХ KCL-TL, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания Tl0 Va+ центров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света - кристаллы CsI-Tl, которые предварительно...

1271155

Способ получения активной среды из кристаллов фторида лития

Изобретение относится, к способу получения активной среды из кристаллов фторида лития для перестраиваемых лазеров и обеспечивает расширение диапазона генерируемого лазером излучения на область 520-580 нм. Способ включает гамма-облучение оптически обработанного кристалла. Способ отличается тем, что облучение ведут при температуре не выше 240 К экспозиционной дозой 5-10 Кл/кг,после...

1316323

Способ получения монокристаллов фтористого натрия

Способ получения монокристаллов фтористого натрия, содержащих лазерноактивные -центры окраски, включающий вытягивание исходного вещества с добавкой гидроокиси натрия на вращающуюся затравку, остающуюся в расплаве, и облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности монокристаллов и термической устойчивости -центров, в расплав дополнительно...

1319645

Подкатегории

Патенты в этой категории