C30B33/04 - с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц

Патент ссср 421875

ьоео() з л ф ытеи... - . - -ив® бк ?) !30 < - - .; >- -: ( : р! стялл 3 помещают в резонатор 2 иа теплои;>Окл;1.(K«7. Ho jocTII)KOIIIIII в резонаторе,i;iв.,с(!!!3? 10 т(?) Гключают систе.;у явToii»T!I>Iecкого регу iиpo()япия, котора» .; O e j) e. (i Г> ..З I A > I i> e T (3! >i C Oh O (I il C 1 0 T! I hi l I 1 (. . 1 pÿ) oj) 1. П!) и этот! . 110;((ти кристалла 8. По достижеп...

421875

Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а @ в @

союз совктских социАлистн кски г, Ркспувлие гос дмствкннок плткитнок вкдомство ссср (191 S3J (ц 769836 А1 (51) $ ÄßВЗЗ 94 ЗОВ Х9 46 ф1) 2648232/26 (22) 1897.78 (48) 35.1293 Бал. Na 4546 (72) Загоруйко ЮА; Тиман БЛ„Файнер М.Ш, (54) О)ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЬЯОПОЛУПРОВОДНИКОВСГО MATEPklAJlA HA ОСНОВЕ ll Vl СОЕДИНЕНИЙ А В (57) 76./836 (! з; б,),- „-; э }» и с )т},. с! IT }; х с : с...

769836

Способ обработки щелочногалоидных монокристаллов

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, работающих в качестве окон инфракрасных лазеров, включающий облучение монокристалла ионизирующим излучением и последующий изотермический отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения оптического поглощения при сохранении упрочнения, отжиг ведут при 150-200 С в течение 0,35 ,0 чо (Л с фф СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕС...

949984

Способ получения кристаллической кремниевой пленки

Изобретение относигся к электротехмвсе, преимущественно полупроводниковой микроэлектронике , может быть использовано для создания БИС, СБИС на основе кремния и позволяет получать текстурировамные кремниевые пленки на неориентирукнцих подломках. На поверхность термически (шсленкой кремниевой подложки осаждают пленку аморфного крегцнт разложением моносилана Пленку облучают потоком...

1422957

Способ обработки монокристаллов иодата лития

Изобретение относится к способам обработки активных элементов лазерной и нелинейной оптики и может быть использовано при изготовлении нелинейных элементов на основе монокристалла иодата лития -LilO3 например параметрических преобразователей длины волны лазерного излучения. Способ позволяет снизить оптическую плотность и повысить прозрачность монокристаллов в длинноволновой и коротковолно...

1558052

Способ изготовления полупроводниковых пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов на основе арсенида индия. Способ позволяет повысить процент выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин на этапе резки. Предварительно слиток арсенида индия калибруется, т.е. механически обрабатывается вся его внешняя поверхность...

1566814

Способ термообработки сцинтилляционных кристаллов

Изобретение относится к термообрабс |Тке сцинтилляционных кристаллов , которые могут быть использованы лл гаммарегистрации и спектрометрии квантов. Цель изобретения улучшение сцинтилляционных параметров кристаллов германата висмута и увеличение выхода годных. Способ включает нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/ч до 950-1030 с, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2,...

1609211

Способ изменения окраски минералов

Изобретение относится к физике твердого тела, геофизике и геохимии и может быть использовано для окрашивания низкосортных кристаллов природного кальцита с последующим их использованием в травильной , художественно-декоративной и ювелирной промышленности, а также в качестве фильтров в оптике. Цель изобретения - расширение цветовой гаммы природного кальцита и получение интенсивной...

1693135

Способ изменения окраски минералов

Изобретение относится к физике твердого тела, геофизике и геохимии и может быть использовано для облагораживания кристаллов природного флюорита с последующим их использованием в гравильноювелирной и ювелирно-декоративной промышленности, а также в качестве фильтров в оптике. Цель изобретения - придание природному флюориту интенсивной голубой и зеленой окраски. Способ включает облу...

1693136

Способ изменения окраски минералов для ювелирных изделий

Изобретение относится к облагораживанию бесцветных или слабоокрашенных кристаллов турмалина, которые могут быть использованы в ювелирной промышленности . Цель изобретения - придание турмалину интенсивной красно-малиновой окраски. Способ включает у-облучение минералов интегральной дозой (7,8-8,1) 108 Р и последующую термообработку при 80- 90°С в течение 30-40 мин. При этом...

1693137

Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей

Изобретение относится к области получения щелочно-галоидных кристаллов высокой степени чистоты, широко используемых в фундаментальных исследованиях в качестве термолюминесцентных дозиметров ядерных излучений, лазерных сред, сред для записи информации. Способ позволяет повысить степень очистки. Очистку кристалла от молекулярных примесей проводят путем введения в него острийным эле...

1694716

Способ облагораживания пренита

Изобретение относится к области облагораживания бесцветных разновидностей пренита и позволяет получить из некондиционного сырья высококачественные ювелирные разности. Обеспечивает лимонную окраску пренита из различных месторождений . Облучение ведут электронами дозой СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 33/02,33/04 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И...

1717677

Способ получения монокристаллических постоянных магнитов на основе сплава fe-co-cr-mo

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения монокристаллических постоянных магнитов на основе Fe-Co-Cr-Mo. Цель изобретения - повышение магнитных и механических свойств. Повышению магнитных свойств способствует добавление легирующей примеси Ge в количестве 0,1 - 2,0 мас.% от исходных компонентов сплава на стадии изготовления поликристаллической заготовки,...

1723853

Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов

Изобретение относится к получению монокристаллов бромидов и может быть использовано для легирования кристаллов и их использования в фундаментальных исследованиях . Обеспечивает получение бромидов с избытком брома. Способ включает электролиз кристалла с использованием плоского электрода и острийного, соединенного с положительным потенциалом. Электролиз ведут при температуре на 30...

1730221

Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов

Изобретение относится к получению щелочно-галоидных монокристаллов высокой степени чистоты и может быть использовано для получения диспергирующих зле ментов ИК-спектроскопии, сред для записи информации, образцов для фундаменталь ных исследований, а также для очистки монокристаллов от кислородсодержащих примесей. Обеспечивает очистку кристаллов от примесей. Способ включает электро...

1730222

Способ изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов

Изобретение относится к способам понижения оптической плотности изделий оптики и может быть использовано для изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов, в частности для изготовления удвоителей и утроителей частоты лазерного излучения. Цель изобретения - увеличение пропускания и выхода годных оптических элементов из кристалл...

1730223

Способ обработки кристаллов l @ f

Использование: в оптике анизотропных сред при создании лазерных сред на основе центров окраски в ЩГК для лазеров с перестраиваемой длиной волны светового излучения . Сущность изобретения: облученные гамма-квантами до доз 107-108 Р монокристаллы LIF постадийно отжигают при температурах 280-290°С, 300-310°С, 146-155°С с выдержкой не более 2-3 мин и скоростью...

1772223

Способ получения микрокристаллов с микровыступом

Изобретение относится к способам получения микрокристаллов, а именно к выращиванию кристаллических микровыступов из металлов с объемноцентрированной кубической решеткой и обеспечивает получение единственного стационарного микровыступа на вершине острия кристалла. Способ включает ориентацию кристалла вдоль кристаллографического направления < III > и изготовление его в виде острия в...

1776099

Способ упрочнения кристаллов

Использование: обработка свер хтеердых кристаллических материалов, в частности природных и синтетических алмазов и д-ругах вн ых материалов, для увеличения объемной прочности. Сущность изо-: бретения: кристаллы облучают лазером с длиной нояны луча, при которой они являются оптически прозрачными. Плотность мощности излучения оДределяется из зашеимоетй. К S , где S - максимальный л...

1813126

Способ повышения оптического пропускания кристаллов хлорида свинца

Использование: в области исследования точечных дефектов в кристалле хлорида свинца. Способ включает механическую обработку кристалла по направлению распространения светового потока до заданной толщины и облучение их световым потоком УФ-части спектра до флюенса (3,8 ±0,7) 105 Эрг/мм2. Пропускание в области УФ спектра (180-300) нм увеличено на 10-15%. Уменьшены потери области при и...

1816815

Способ очистки щелочно-галоидных монокристаллов

Использование: фундаментальные исследования монокристаллов и их применение в качестве оптических сред. Способ включает образование в щелочно-галоидном монокристалле (К) избытка галогена (Г) путем электролиза с использованием одного плоского электрода и второго острийного при температуре на 30-50°С ниже температуры плавления кристалла. Электролиз ведут в течение времени, о...

1818365

Способ изготовления монодоменного ферроэлектрического кристалла

Использование: в промышленном производстве монокристаллов путем электротермической обработки. Сущность изобретения: на монокристалле изготавливают базовый срез, параллельный образующей цилиндрической поверхности кристалла. Затем кристалл помещают в печь горизонтально, базовым срезом вверх, между платиновыми электродами определенной формы и размеров. Заполняют промежутки между кристаллом...

2046163

Способ получения полуизолирующего арсенида галлия

Использование: для получения монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия (агп). Сущность изобретения: способ включает облучение монокристаллов быстрыми нейтронами, последующий нагрев и охлаждение. Облучению подвергают монокристаллы с различной степенью компенсации при плотности потока =(0,4-0)1016 см-2. Отжиг проводят при температуре 850 900 °С в течение 20 мин при скорости нагрева и...

2046164

Способ изменения окраски минералов

Изобретение относится к облагораживанию минералов, в частности бесцветных разновидностей полупрозрачного благородного серпентинита, а также улучшению цвета серпентинита с бледной серо-зеленой окраской. Новый технический результат заключается в разработке способа облагораживания серпентинита, который позволяет изменить окраску серпентинита и расширить гамму окраски этого минерала более про...

2076910

Способ уменьшения намагниченности магнитных оксидных материалов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в микроэлектронике и оптоэлектронике для записи и считывания информации. Целью изобретения является обеспечение возможности перехода пленок EuO и Eu1-x SmxO из ферромагнитного состояния и парамагнитное. Способ включает освещение пленок светом с длиной волны 0,4 - 0,7 мкм при температуре жидкого азота с интенси...

2077618

C30B33/04 - с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц

Патенты в этой категории