Патент ссср 280450

Патент ссср 280450

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 280450

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 21. т/1.1968 (№ 1249510/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Кл, 12g, 17/00

МПК В Olj 17/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистрое

СССР

Опубликовано ОЗЛХ.1970. Бюллетень № 28 УДК 548.55(088.8)

Дата опубликования описания 10.ХП.1970 ж 1- < ;

Авторы изобретения

В. Л. Фарштендинер, P. М. Толчинская, В. П. Клвев, "

Б. А. Баранов и Н. Б. Ангерт (1

3 аявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОДОМЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ

Li Nb O3 0 ОРИЕНТАЦИИ

Изобретение относится к способам получения монодоменных кристаллов LiNb03 0 ориентации, являющегося материалом для квантовой электроники, Известеп способ получен|ия монодоменных кристаллов LiNbO> 0 ориентациями, заключающийся е том, что выращивание кристаллов ведут в электрическом:поле, когда затравка и расплав находятся .под постоянным напряжением.

Однако известным спосооом получать круп:ные кристаллы сложно. К роме того, выход конечного продукта низкий.

С целью увеличения кристаллов IH по вышения выхода конечного продукта, выращенный до нужных размеров кристалл отжигают при

1160 — 1180 С в течение 30 — 60 мин под напряжением 15 — 25 в. Затем кристалл охлаждают до 1075 — 1125 С при снижении напряжения на 25 — 40% с последующим охлаждением кристалла со:скоростью 26 — 30 град/час.

Осуществление предложенного способа позволяет .получить кристаллы длиной до 80 мм и диаметром до 20 мм. Выход конечного продукта 90%.

Пример. Для дополнительной монодоменизации на цилиндрической пове1рхности кристалла 1 наносят кольцевые пазы на расстоянии 1,5 — 2»l»l от крае в кристалла.

Глубина паза 1 — 2»тм, ширина 1 л/м. Кристалл подвешивают на платиновой проволоке в аллундовом стакане. Про волока является отрицательным электродом, а конец кристалла — положительным. Кристалл нагревают до температуры, близкой к температуре Кюри (1160 — 1180 С), и выдерживают при ней 30—

60»тия под напряжен ием 15 — 25 в, в зависимости от геометрических размеров образца (10 — 20 мм, t=40 — 80 м»т), Средняя плот10 ность тока не более 0,5 ла/»юм Скорость охлаждения не более 30 град/час. Постоянное электрическое поле снимают при температуре

1100 С.

Во избежание больших пиротоков при ох15 лаждении кристалла до 1160 — 1100 С подаваемое на кристалл напряжение уменьшают на 25 — 40%.

Предмет изобретения

20 Способ получения монодоменных кристаллов LiNbO; 0 ориентации, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров и повышения выхода конечного продукта, выращенный до нужных размеров кристалл отжи25 гают при 1160 — 1180 С |в течение 30 — 60 мин, под напряжением 15 — 25 в, затем кристалл охлаждают до 1075 — 1125 С при снижении напряжения на 25 — 40% с последующим охлаждением кристалла со скоростью 25—

Зо 30 С/час.