C30B29/30 - ниобаты; ванадаты; танталаты — все патенты категории

Патент ссср 280450

О П И С А Н И Е 280450 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 21. т/1.1968 (№ 1249510/23-26) с присоединением заявки № Приоритет Кл, 12g, 17/00 МПК В Olj 17/00 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистрое СССР Опубликовано ОЗЛХ.1970. Бюллетень № 28 УДК 548.55(088.8) Дата о...

280450

Патент ссср 358871

О П И С А Н И Е SSSSZ) ИЗОБРЕТЕЙЙЯ Сава Советских Социалистических Респчйлик К ПАТЕпТУ Зависимый от патента № М. Кл. G 02b 1/02 В Olj 17/00 В Olk 3/00 Заявлено 15.1.1971 (№ 1612130i23-26) Приоритет 22.1.1970, № 4913, CIIIA Комитет па дела«о изооретеиий и открытий при Совете Мииистрав СССР УДК 621.315.592.9 (088.8) Опубликовано 03.Х1.1972. Бюллетень № 34 Дата опубликования...

358871

Способ выращивания монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов

369748 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ Союз Советских Социалистических республик Зависимый от патента № М. Кл. В 01j 17/18 Заявлено 06.XI I.1967 (№ 1201679/23-26) Приоритет 06.ХП.1966, № 17449 66, Швейцария Комитет по делам изобретении и открытий при Совете Мииистров СССР УДК 669.054-172 (088.8) Опубликовано 08.!1.1973. Бюллетень М 10 Дата опубликования описания 10.IV.1973 Ав...

369748

Способ выращивания монокристаллов оксидов и устройство для его осуществления

1. Способ выращивания монокристаллов оксидов, включающий затравливание кристалла на ориентированную затравку , ее разращивание до заданного диаметра при автоматическом регулировании мощности нагревателя в зависимости от изменения регулируемого параметра и последующее вытягивание кристалла в камеру охлаждения, о т личающ .ийся тем, что, с целью исключения колебаний температуры в п...

786110

Станнат-ванадат висмута и способ его получения

1. Станнат-ванадат висмута состава, , Vy/ . Snу/ 0s со слоистой перовскитоподобной структурой для сегнето-- и пьезотехники. 2. Способ получения станната-ванадата висмута состава Bi г ft, V 5/6 , Of-, заключающийся в том, что смесь, содержащую триоксид висмута, пентоксид ванадия и диоксид олова в молярном соотношении 6,5:2,5:1, подвергают термообработке при 600-900°С в теч...

1155630

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития

Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития и обеспечивает уг|1еньшёние отклонения шихты от заданного аехиометрического соотношения и фазового состава. Способ включает сухое перемешивание окиси ниобия или тантала и углекислого лития и обжиг смеси при 1100-1150°С. Способ отличается тем, что перед смешиванием om...

1275931

Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития

Изобретение касается получения высокотемпературных сегнетоэлектрических монокристаллол ниобата лития, которые широко применяются в квантовой электронике , и позволяет повысить выход кристаллов , свободных оттрещин. Способ включает вытягивание монокристалла (М) из расплава на затравку, отжиг и охлаждение до комнатной температуры. После охлаждения на М наносят злектроизоляционный л...

1468025

Способ выращивания монокристаллов l @ т @ о @

Изобретение относится к технологии получения сегнетоэлектрических монокристаллов, которые могут быть использованы в пьезотехнике. Цель изобретения - увеличение размеров монокристаллов. Способ включает растворение шихты LIТРАНзиСТОРАО<SB POS="POST">3</SB> в водном растворе LI<SB POS="POST">2</SB>SO<SB POS="POST">4</SB> и H<SB POS="POST">2&l...

1562363

Способ травления кристаллов танталата лития

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии. Способ позволяет удешевить и сократить время процесса. Монокристаллы обрабатывают расплавом едкого кали при 360±0,2°С в течение 5-7 с. Температура травления снижена до 360°С,...

1583478

Способ травления монокристаллов ниобата лития

Изобретение относится к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, может быть использовано при изучении реальной структуры монокристаллов. Способ позволяет существенно понизить температуру травления, сократить его время и получить четкие фигуры травления. Монокристаллы ниобата лития обрабатывают расплавом КОН с добавкой NAOH в количестве 35 мас.% пр...

1583479

Состав для травления

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития. Цель изобретения - повышение скорости травления. Состав для травления монокристаллических подложек ниобата и танталата лития представляет собой расплав компонентов, взятых в количестве, соответствующем на фазовой диаграмме HF-KF, соотношению, мас.% :...

1594222

Способ подготовки подложек ниобата лития для фильтров на поверхностно-акустических волнах

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„SU„„1627601 А1 (5! )5 С 30 В 33 !О, 2Ч130 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Форчхла ило6ретения ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21 ) 4472024 "26 (22 );30.08.88 (1f>) 1;>.02. .31. 1>к>,(,V (i (72 i .=).(. Раков. А.1-:. Ф»доров. ,Ч 1> Че.!к< 5!ян((, .! и р, I !)8 с 73(). I1Hòåíò 1,...

1627601

Способ сухого травления ниобата лития

Изобретение относится к области электроники, в частности к методам изготовления приборов на твердом теле с использованием ниобата лития. Обеспечивается повышение скорости травления. Способ включает сухое травление в плазме высокочастотного разряда газообразного гексафторида серы SF6 при условии Т 700-3, 4Р , где Т - температура ниобата лития, К; Р - давление SFg , равное Па. Дост...

1638222

Способ получения монокристаллов стибиотанталата калия

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов стибио-танталата калия и может быть использовано в пъезотехнике. Цель изобретения - повышение выхода и размеров монокристаллов . Гидротермальный процесс выращивания кристаллов ведут при массовом соотношении оксида сурьмы (III) и оксида тантала (V) СОКИ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК А1 ГОСУДАРСТВЕННЬФ КОМИТЕТ...

1641899

Травитель для ниобата бария-стронция

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии, и может быть использовано для стравливания слоев сегнетоэлектриков, конкретно ниобата бария-стронция. Цель изобретения улучшение качества поверхности ниобата бария-стронция в виде пленки на кремниевой подложке. Для этого используется травитель, содержащий фтористоводородную (HF)j серную (H2S04)...

1660407

Способ получения монокристаллов (sв @ bi @ )nво @ , где х = 0,1 - 0,3

Изобретение относится к получению монокристаллов (SB<SB POS="POST">1-X</SB>BI<SB POS="POST">X</SB>) NBO<SB POS="POST">4</SB>, где X = 0,1 - 0,3, и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической технике, а также в химической технологии для создания композиционных материалов. Обеспечивает снижение температуры процесса и повышение...

1668496

Способ выращивания профилированных кристаллов сложных оксидов

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов сложных окислов из расплава и может быть использовано для получения кристаллов LiNbOs и Gda(Mo04)3. используемых в акустооптоэлектронике. Способ позволяет повысить качество монолитных кристаллов за счет уменьшения влияния поверхности формообразователя. Способ включает затравливание и вытягивание кристалла на з...

1691433

Монокристаллический материал на основе танталата калия- лития и способ его получения

Изобретение относится к химическому синтезу монокристаллов на основе танталата калия-лития и может быть использовано в оптических затворах и модуляторах, а также в СВЧ-резонаторах. Обеспечивает расширение температурного диапазона двулучепреломления при снижении диэлектрических потерь tg «5 и низком температурном коэффициенте диэлектрической проницаемости ТКе . Материал имеет тетр...

1693134

Способ получения монокристаллов твердых растворов на основе ортотанталата сурьмы

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов твердых растворов (Sbi-x Bix) Та04, которые могут быть использованы в пьезоэлектрической области. Цель изобретения - получение монокристаллов твердых растворов (Sbi-x Bix) Та04. Монокристаллы получают в гидротермальных условиях из водного раствора KHF2 концентрацией 18-25 мас.% с использованием шихты следующего состава, в...

1710602

Гидротермальный способ получения монокристаллов твердых растворов sb(sb @ nb @ )о @

Использование: в пьезоэлектрической и пироэлектрической области, а также химической технологии. Сущность изобретения процесс ведут из смешанного гидротермального раствора бифторида калия и перекиси водорода, содержащею оксиды сурьмы (ЗЬаОз, Sb20s) и ниобия (NbjOs) В качестве исходной соли для раствора используют фтористый калий концентрацией 16-20 мас.%. Процесс ведут при 420-450...

1754806

Способ травления монокристаллов метаниобата лития

Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающему возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов метаниобата лития, используемых в электронной технике. Достигнута возможность травления больших монокристаллов более 2 10 10 мм/ кристаллы при травлении не растрескиваются/, а также отпадает необходимость употребления дорогостоящих неактивн...

2039134

Способ травления монокристаллов танталата лития

Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике. Обеспечивается возможность травления больших монокристаллов более 2 10 10 мм (кристаллы при травлении не растрескиваются), а также исключается необходимость употребления дорогостоящих не...

2040601

Гидротермальный способ получения монокристаллов ортониобата сурьмы

Использование: в пьезо- и пироэлектрической областях для создания различных электронных устройств в новой технике. Сущность изобретения: способ включает растворение исходных оксидов Sb2O3 и Nb2O5 в кислых растворах с последующим выращиванием кристаллов при высоких температурах и давлениях в условиях температурного градиента. В качестве компонентов раствора используют углекислые водные рас...

2091513

Способ получения монокристаллов твердых растворов ортотанталата сурьмы

Использование: в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов. Сущность изобретения: кристаллы получают из водного смешанного раствора фторидов. В качестве исходного материала используют предварительно синтезированный Sb(SbxTa1-x)O4 (x = 0,25 моль). Компоненты раствора берут с концентрацией 25 - 32 мас.%...

2109856

Способ получения монокристаллов твердых растворов на основе ортониобата сурьмы

Изобретение может быть использовано в пьезоэлектрической пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения. Монокристаллы твердых растворов на основе ортониобата сурьмы излучают из водного фтористого раствора, компонент которого берут с концентрацией KF - 38-43 мас. % и H2O2 - 4-6 мас. %. В качестве исходного материала...

2113556

C30B29/30 - ниобаты; ванадаты; танталаты

Патенты в этой категории