Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития

Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение касается получения высокотемпературных сегнетоэлектрических монокристаллол ниобата лития, которые широко применяются в квантовой электронике , и позволяет повысить выход кристаллов , свободных оттрещин. Способ включает вытягивание монокристалла (М) из расплава на затравку, отжиг и охлаждение до комнатной температуры. После охлаждения на М наносят злектроизоляционный лак и извлекают М из ростовой камеры после полного высыхания лака. Нанесенный на М электроизоляционный лак предотвращает образование трещин и защищает поверхность М от загрязнений. Выход полученных М ниобата лития, свободных от трещин, составил 85%.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s С 30 В 15/00, 29/30

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ЛВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4287595/26 (22) 21.07.87 (46) 15.03.93. Бюл. N 10 (72) М.Б.Космына, А.БЛевин, А.И.Машков и

Н, cb. Ефремова (56) Заявка Японии ¹ 57-118087, кл. С 30 В

15/00, 29/30, опублик; 1982. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА

ЛИТИЯ (57) Изобретение касается получения высокотемпературныхх сегнетоэлектрических монокристаллов ниобата лития, которые, Изобретение касается получения высокотемпературных сегнетоэлектрических монокристаллов. Монокристаллы ниобата лития находят широкое применение в квантовой электронике, акусто- и пьезотехнике.

Целью изобретения является повышение выхода кристаллов, свободных от трещин.

При применении известных способов получения монокристаллов ниобата лития во время охлаждения в кристалле возникает пироэлектрический заряд, скомпенсиро. ванный на поверхности кристалла, После окончания охла>кдения пироэлектрический заряд исчезает, а на поверхности монокристалла остается нескомпенсированный электрический заряд, который часто приводит к электрическому пробою по поверхности и возникновению трещин в кристалле.

В предло>кенном способе нанесения на поверхность монокристалла электроизоляционного лака, имеющего в жидком состоя„„5U ÄÄ 1468025 А1 широко применяются в квантовой электронике, и позволяет повысить выход кристаллов, свободных от трещин. Способ включает вытягивание монокристалла(М) из расплава на затравку, отжиг и охлаждение до комнатной температуры. После охлаждения íà M наносят электроизоляционный лак и извлекают М из ростовой камеры после полного ° высыхания лака. Нанесенный на M электроизоляционный лак предотвращает образование трещин и защищает поверхность М от загрязнений. Выход полученных M ниобата лития, свободных от трещин, составил 85 .

t нии проводимость 10 — 10 Ом " см (проводимость жидкого лака близка к проводимости растворителя — основного компонента лака), позволяет компенсировать свободными носителями жидкого лака электрический заряд, образовавшийся на поверхности после охлаждения, и, следовательно, предотв-, ф ращает электрический пробой и образование О трещин. ОО

Высохшая пленка электроизоляционного лака, покрывающая монокристалл, защищает его поверхность от загрязнения, Имея высокую электрическую прочность (20-60 кВ/мм) пленка электроизоляционного лака предотвращает электрические пробои по поверхности монокристалла нескомпенсированного заряда, возникающего при хранении монокристалла в обычных условиях из-за небольших колебаний температуры, и, следовательно, предотвращает образование трещин в кристалле.

Способ получения состоит из следующей последовательности операций;

1468025 — вытягивание кристалла из расплава на затравку; — послеростовой отжиг и охлаждение выросшего кристалла до температуры окружающей среды; — нанесение электроизоляционного лака, — высыхание электроизоляционного ла Составитель В.Безбородова

Техред М.Моргентал Корректор И.Шмакова

Редактор Т.Иванова

Заказ 1959 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета IlO изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ка; — извлечение полученного кристалла из ростовой камеры.

П р и гл е р. Монокристаллы изобата лития получали методом Чохральского на высокочастотных установках "Донец-1" и

"Кристалл-607" иэ расплава конгруэнтоплавящегося состава на воздухе. Скорость вытягивания затравки 3. г4м/ч, частота вращения затравки 20 мин 1. После окончания выращивания кристалл отрывали от расплава и 2-3 ч поднимали над расплавом в область с градиентом температуры 510 С/см. Затем кристалл охлаждали до комнатной температуры за 20 г 2 ч. После охлаждения под I кристалом, укрепленным на затравкодержателе, устанавливали сосуд с электроизоляционным лаком НЦ-62, Кристалл погружали в лак и выдерживали

0,5 ч. Затем извлекали из лака и выдерживали 0,5-1 ч до полного высыхания тонкого слоя электроизоляционного лака. После этого кристалл отделяли от затравки и извлекали из ростовой камеры.

Выход полученных монокристаллов ниобата лития диаметром 50-60 мм, свобод10 ных от трещин, составлял 85 .

Выход монокристаллов, свободных от трещин, полученных известным способом, ниже 80 .

Формула изобретения

Способ получения крупногабаритных глонокристаллов ниобата лития, включающий вытягивание кристалла из расплава на затравку, отжиг, охлаждение до комнатной температуры и извлечение монокристалла

20 из камеры роста, отличающийся тем, что, что, с целью увеличения выхода кристаллов, свободных от трещин, после охлаждения на монокристалл наносят электроизоляционный лак, извлечение монокристалла из ростовой

25 камеры проводят после высыхания лака.