МАШКОВ А.И.

  Изобретение касается получения высокотемпературных сегнетоэлектрических монокристаллол ниобата лития, которые широко применяются в квантовой электронике , и позволяет повысить выход кристаллов , свободных оттрещин. Способ включает вытягивание монокристалла (М) из расплава на затравку, отжиг и охлаждение до комнатной температуры. После охлаждения на М наносят злектроизоляционный л...