Способ термообработки монокристаллов твердых растворов галогенидов таллия

Способ термообработки монокристаллов твердых растворов галогенидов таллия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П

Союз Советскнк

Соцналнстнческнх

Республик

<н593349

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ С И%ЛИСТВУ (6) ) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 080676 (23) 2370921/23-26 (51.)М. Кл З с прнсоедннвннам заявкн Йо " (23) Приоритет

С 30 В 33/00

Государственный комитет

СССР

fl0 делам изобретений и открытий

Опубликовано 070981. Бюллетень Й9 33 (5З) 548.55 (088. 8

Дате опубликования описания 070981 (72) Авторы изобретения

К.И.Авдиенко, Н.И.Березина, С. В. Богданов, B. N, Мастихин, В. К. Сапожников и Д. В. Шелопут (5 4) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ. ГАЛОГЕНИДОВ ТАЛЛИЯ

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому эффекту является способ термообработки монокрксталлов твердых растворов галогенидов таллия, включающий выдержку образцов при повышенной температуре и охлаждение со скоростью

5-10 С/ч 12).

Однако при указанных режимах отО жига не достигается равномерное распределение таллия по образцу °

Цель изобретения — устранение неоднородностей состава кристаллов

КРС-5 и KPC-6 .

Поставленная цель достигается тем, что выдержку осуществляют при температуре на, 10-35оС ниже температуры плавления монокристаллов.

Причем отжиг кристалла (Тс I-ТС Вг) о веМут при температуре 380-400 С

24-27 ч, а кристалла (Т СС- Тс Br) ведут при 390-410 Ñ 27-72 ч.

Отжиг проводится в атмосфере инерт ного газа, например аргона (воэдей25 ствие ки,ор да и вла воэ,уха на поверхностный слой кристалла может привести к частичному химическому разл ож ению e ro) .

П р и и е р. Для отжига испольЗО з ваиия заводские образцы кристаллов

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, в частности к термической обработке кристаллов твердых растворов, и мо" жет найти широкое применение IlpH из готовлении э ву копров одов акустооптических устройств.

Известен способ термической обработки кристаллов твердых растворов, например галогенидов таллия, заключающийся в отжиге выращенных кристаллов при повышенной температуре. Отжиг кристаллов, содержащих 42% Т Br и 58% TCI, проводится при 330 С на воздухе в течение 3-4 ч jl). Указанный способ преследует цель избавиться от термических напряжений, возникающих в кристаллах в процессе роста и

o6pa6oтки.

Однако кристаллы твердых растворов галогенидов таллия, например кристаллы состава, тССр TC I (KPC-б) Тт Br

ТЮ1 (KPC-5) имеют еще и микронеоднородности, обусловленные флуктуациями в процессе кристаллизации. Такие кристаллы нельзя использовать в качестве звукопроводов для акустоопткческих устройств, так как неоднородности приводят к дополнительному механизму значительного затухания звука, (71) 3

Институт физики полупроводников Сибирского отделения

Заявитель

АН. СССР .Ф

59 ЗЗ49 Формула изобретения

Редактор С.Титова Техред А, Бабинец Корректор Ю;Макаренко

Заказ 6688/59 Тираж 333 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва,Ж-35, Раушская наб,,д,4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 твердых растворов KPC-5. Отжиг прово= дили в атмосфере аргона при 390 С

24 ч с последующим медленным охлаждением 10ОС/ч.

Ч я устранения прилипания кристалhos к подпожке между кристаллами и подложкой помещали прокладку иэ высокотемпературного материала ° В результате отжига акустическое затухание в кристаллах значительно уменьшалось.

Для сдвигов волн, имеющих направление распространения и поляризации по главным кристаллографическим направлениям, затухание звука уменьшилось с 3-5 до 1 дБ/мкс. на частоте

100 МГц. Для продольных волн в направлении jill) затухание звука изменялось от 0,5 до 0,3 дБ/мкс на частоте

100 МГц.

В лабораторных условиях создан акустооптический дефлектор. со звукопроводом из КРС-5, отожженного ука- 20 з анным способом, который по своим параметрам значительно превосходит все известные аналогичные устройства.

Спос об т ермоо бр абот ки мон о к ри ст ал— лов твердях растворов галогенидов таллия, включающий выдержку образцов при повышенной температуре и охлаждение со скоростью 5-10 C/÷, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью улучшения химической однородности монокристаллов, выдержку осуществляют при температуре на 10355С ниже температуры плавления монокристаллов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1., Научные труды Гиредмет, Т ° 29, 1970 с.107.

2. Автбрское свидетельство СССР

Р 24887б, кл. С 09 К 1/06, 1968 (прототип) .