Способ получения ювенильных поверх-ностей b двойникующихся кристаллах

Способ получения ювенильных поверх-ностей b двойникующихся кристаллах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ .СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 03. 02. 77 (21) 2450082/23-26 (51) M. Кл. с присоединением заявки М (23) Приоритет

С 30 В 33/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 23.0381. Бюллетень Мо 11

Дата опубликования описания ? 50381 (53) УДК 548. 55 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. М. Финкель, В. A Федоров и В. П. Пл (71) Заявитель

Тамбовский институт химического машиноо (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЮВЕНИЛЬНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

В ДВОЙНИКУЮЩИХСЯ КРИСТАЛЛАХ

Изобретение относится к получению физически чистых (ювенильных) поверхностей и может быть использовано для получения таких поверхностей в кристаллах, двойникующихся под действием механической нагрузки.

Известен способ получения ювенильных поверхностей у металлических образцов путем разрыва стержня в плас.тической оболочке 31) .

Однако этот способ не может быть, применен для получения ювенильных поверхностей в кристаллах.

Известен также способ получения ювенильных поверхностей в двойникующихся кристаллах путем приложения сосредоточенной механической нагрузки к двум параллельным плоскостям образца, сошлифованным перпендикулярно 20 плоскостям двойникования. В результате воздействия такой нагрузки кристалл упруго деформируется и (в результате взаимодействия двух встречных упругих двойников) в нем появляется полость с ювенильными поверхностями (2) .

Недостатком известного способа является необходимость сошлифовки поверхностей кристалла. 30

Цель изобретения — упрощение процесса за счет устранения операции сошлифовки поверхностей кристалла.

Поставленная цель достигается тем, что в способе получения ювенильных поверхностей в двойникующихся кристаллах, включающем упругое деформирование образца, сосредоточенную механическую нагрузку прикладывают к двум естественным граням кристалла, являющимся его плоскостями спайности. Ве-. личина нагрузки, необходимой для образования полости, равна P где Р— нагрузка в направлейии двойникования; eh â угол между нормалью к плоскости спайности и направлением двойникования.

Пример. Получают ювенильные поверхности в кристалле исландского шпата. Схема получения поверхностей приведена на чертеже.

Берут кристалл 1 исландского шпата размером 10х10х5 мм, ограненный естественными гранями.

К двум противоположным граням 2 размером 10х10 мм, являющимся плоскостями спайности кристалла, с помощью сферических индекторов 3 (стальных шариков) прикладывают механическую нагрузку Р величиной 1,1 кг. Для(815091

Формула. изобретения

Составитель Т. Фирсова

Редактор Г. Кацалап Тех ед Н.Бабурка Кор екто М. Внгула

Заказ 972/44 Тираж 333 Подписное

ВНИИ11И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушска

Филиал ППЛ "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 этого кристалл помещают на неподвижное основание 4 и прижимают сверху при помощи штока 5, установленного в- направляющих 6. Под действием нагрузки в кристалле возникают встречные упругие двойники 7, между которыми появляется полость 8 с ювенильными поверхностями (не показаны).

Так, как для исландского шпата

А- 20, то Р = = 1,06Р. о Р

coo 20О

Способ получения ювенильных поверхностей в двойникующихся кристаллах, включающий упругое деформирование образца путем приложения сосредоточенной механической нагрузки к двум параллельным его плоскостям, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, нагрузку прикладывают к естественным граням кристалла, являющимся его плоскостями спайности, причем величину нагрузки поддерживают равной P = P сом угол между нормалью к плоскости спайности и направлением двойникования.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. ДАН СССР, 1968, 9 6, т. 179, с. 1318.

2. Авторское свидетельство СССР

15 9 594627, кл. В 01 J 17/00, 19.11.76. (прототип).