PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ГАЛЬЧИНЕЦКИЙ Л.П.

Изобретатель ГАЛЬЧИНЕЦКИЙ Л.П. является автором следующих патентов:

Полупроводниковый кристаллический материал

Полупроводниковый кристаллический материал

  ! -.0 > 1 l Hi 1 ,ll 1,, Союз Советских Социалистических Республик () 293395 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ о (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.05.69 (21) 1330795/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.77.Бюллетень зле 31 (45) Дата опубликования описания 26.09.77 2 (53) М. Кл. В 01 Т 17/06 H- 01 Ь 29/04 Н От g 29,20 1 21 T 1/00 Го...

293395

Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка

Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка

  кинский и М.LLl.eàéíåð (56) Карлов Н.В., Сисякин Е.В. Оп1ические материалы для СО2-лазеров. Известия АН СССР, сер, "Физическая", 1980, т,41, й. 8, с.1631 — 1638. Авторское свидетельство СССР M. 1111516, кл, С 30 В 33/00, 1982, (54) СПОСОБ TE: РМООБРАБОТКИ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ СЕЛЕНИДА ЦИНКА Изобрета 1ие 01»осится к получению материалов, приме»яемых в oлектронно л прибо...

1526303