Полупроводниковый кристаллический материал

Полупроводниковый кристаллический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

! -.0 > 1 l Hi

1 ,ll 1,, Союз Советских

Социалистических

Республик (<>) 293395

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ о (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.05.69 (21) 1330795/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.77.Бюллетень зле 31 (45) Дата опубликования описания 26.09.77

2 (53) М. Кл.

В 01 Т 17/06

H- 01 Ь 29/04

Н От g 29,20

1 21 T 1/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДЫ 537.311.33: .6 20, 19 3.6 (088. 8 ) B. M. Кошкин, Л, В. Атрошенко, Л. П. Гальчинецкий, В. И. Шаховцов и М, И. Руденко (72) Автори изобретения (71) Заявитель . (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ И АТЕРИАЛ

Изобретение относится к полупроводниковым кристаллическим материалам, обладающим радиационной стойкостью, и может применяться в электронной технике и инфракрасной оптике, в приборах, работающих е условиях воздействия больших доз ионизирующих излучений и высокой интенсивности последних, налример в качестве терморезисторов, гамма-датчиков, инфракрасных окошек и пр. 10

Известно, что в электронной технике и инфракрасной оптике широко применяются полупроводниковые материалы типа элеме тарно особо чистых германия и кремния.

Известно также применение в этих целях та полупроводниковых соединений с решеткой типа алмаза, например арсенида галлия, антимонида алюминия, сульфида кадмия, теллурида кадмия, в которой полностью заполнены атомами как анионная, так и катион-20 ная подрешетка.

Однако в этих материалах электрические и оптические характеристики существенно изменяются иод воздействием больших доз ионизирующего излучения (гамма, нейтрон- 25 ного, электронного и др), Это приводит к выходу из строя приборов, работающих с использованием ука анных материалов.

Сущность изобретения заключается в том, что в качестве раднационностойких материалов предлагаются халькоз еюпть1 металлов третьей группы и сплавы на их основе, обладающие кристаллической структурой типа алмаза и имеющие з катчонпой подрешетке стехиометрнческие структурные вакансии в количестве 0,5-16,7% or оо:;; го числа узлов кристаллическ 4 решетки.

Для э тот о В KB÷eñтве радиационно тойких материалов используют кристалляч: с не соединения и сплавы, которые .обладь о, кристаллической реш . гной типа алмаза, с соотношением колзпонент .1: — . л ;:,. ч гс число анионов в реп|егке превосходит чнсi.о катионов. Это приводит к наличию в катионной подрешетке этих соединений стехиолзетрических структурных вак псий, качество которых определяется форл улой этого соединения или сплава. Такими випествами являются халь когениды металлов трет .-ей гпуппbf периоднЧЕСКОй СИСтСМЫ, ИПр1г, р, П2, "t Ð,, 4аН т Еа, 293395

Составитель М. Сорокина

Редактор Л. Капашникова Техреду. ДемьяноввКорректор С. Юдченко

Заказ 3089/53 Тираж 800 Подписное

Ш1ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по депам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Фплпап ППП "Патент, г. Ужгород, уп. Проектная, 4

Йсфвз р Ь ст & g -f сппавы ня их

Осипове„где вторым комт!Оненгом явпяюгсл эпеменгарпые„бинарные, тройные крисгапли ческие вещества, с решеткой типа алмаза. без кагионных вакансий, например германий, - апюминий, гап,тий, индий;

Ац — магний, цинк, кадмий, ргуть;

А - серебро, медь;  — фосфор, сурьма, Б и С вЂ” сера, теппур, сепен

Ч1 (Go As (;д ГЕ,Cu J Te. СдЯп М,,Сир„Бе и др.).

Указантп» е кристаллические соединения и сплавы обпадаюг полупроводниковыми свойствами, При воздействии нв такие крис 15 гаппические соединения и сплавы с решеткой типа апмаза, имеющие в катионной подрешеrKe стехиометрические структурные вакансии B коппчестве 0,5-16,7% от общего числа узпов в крисгаппической решетке (хапькогениды мегаппов третьей группы и сппввь. на vx основе), интенсивногo ионизирующего излучения в больших дозах электрические характеристики этих веществ практически не меняются при дозах гамма-излучения

18 Я а вппо ть go 5 1 0 KBBBroB/,:м.

В применяющихся в настоящее время попупроводниковых магериапах необратимые радивционпые повреждения при знвчигепьной

30 дозе обп1 чения появпяются как в монокрисгап пах, гак и в попикриствппических образцах, Например, в супвфиде кадмия (СДЯ ) необратимые радиационгые повреждения, . наступают при дозах гамма-издучения "10 Р В 2 35 (.- 10 кванroa/см ) при интенсивности

10э Р/мин, в то время как в предпагвемых материалах такие же дозы при эначитепьно больших интенсивностях (6 10 Р/мин) не приводят к появпению необратимых электрических эффектов, Преимущество предпагаемых материалов воэможность использования B разпичных ус гройс твах в усповиях . дейс гвия высоких инген:ивностей и доз различных видов ионизирующего излучения, существенно превышающих интенсивности и дозы, максимально допустимые дпя известных (испопьзуемых в настоящее время) попупроводниковых мв гери. алов, кроме того, значительное увепичение срока спужбы соответствующих устройств на основе этих магериапов в условиях обпучения. Дозы облучения, существенно превышающие предепьно допустимые дпя известных материалов не приводят в предпвгаемых материалах к каким-либо необраг"тимым изменениям электрических свойств.

Эти материапы эначигепьно менее чувсгвигепьны к действию бопьших доз ионизирующих излучений, чем известные материапы.

Кроме того, важным технико-экономическим преиму щес твом предпагаемых мв re риалов является го, что их электрические свойства практически не зависят or содержания примесей. 3ro поэвопяег испопьзовагь при синтезе не особо чистые исходные реактивы, столь необходимые при производстве матери« алов подобного назначения, а реактивы технической чисгогы, с

Формупа изобретения

Полупроводниковый кристаллический мвгериап, î r и и ч а ю шийся тем, что, с цепью придания ему устойчивости к

Ф воздействию различных видов ионизирующего излучения, он состоит из хапькогенидов мегаппов третьей группы периодической системы и сплавов на их основе, обладающих кристаллической решеткой типа алмаза и имеющих в катионной цодрешетке стехиометрические структурные вакансии в копичестве 0,5-16,7% от общего числа узпов кристаллической решетки,