ШАХОВЦОВ В.И.
Изобретатель ШАХОВЦОВ В.И. является автором следующих патентов:
Полупроводниковый кристаллический материал
! -.0 > 1 l Hi 1 ,ll 1,, Союз Советских Социалистических Республик () 293395 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ о (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.05.69 (21) 1330795/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.77.Бюллетень зле 31 (45) Дата опубликования описания 26.09.77 2 (53) М. Кл. В 01 Т 17/06 H- 01 Ь 29/04 Н От g 29,20 1 21 T 1/00 Го...
293395Термолюминесцентное вещество для гамма-до-зиметра
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСМ©МУ СВИ ЕТВЛЬСТВУ о6716286 Союз Советских Социалистических Республик Ф % ф ! ф м . i// (61} Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено О1876 (21} 2393939/23-26 (53)PA Кд.з С 09 К 11/32 С 01 Т 1/11 с присоединением заявки йоГоеударственный комитет ссср но делам изобретений н открытий (23) ПриоритетОпубликовано 300581. Бкзллетеив МУ 20 (53)...
716286Способ обработки поверхностно-барьерных структур на основе соединений @ @
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ дв Вх, включающий йанесе ние на поверхность структуры :металлического покрытия и последующую обработку, стимулируюсцую геттерирование границей раздела металл-проводник рекомбинационных центров из обвема структуры, о т лич .ающийсГя тем, что, с целью увеличения времени жизни неосновных носителей тока при одновре...
921378