Басов А.С.

 1. Интегральный инвертор инжекционного типа, содержащий переключательный n-p-n-транзистор с эпитаксиальной базой и инжектирующий p-n-p-транзистор с инжектором-подложкой, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления n-p-n- и p-n-p-транзисторов, эмиттеры n-p-n-транзистора выполнены в виде локальных n+ скрытых слоев, а под пассивной частью базы n-p-n-транзистора расположен...

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий создание коллектора, базы, маскирование поверхности структуры пленкой диэлектрика, вытравливание в диэлектрике эмиттерного окна, осаждение легированной пленки кремния, вытравливание из этой пленки мезы внахлест маскирующей эмиттерное окно, формирование эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и...