Интегральный инвертор и способ его изготовления

Интегральный инвертор и способ его изготовления

Реферат

 

1. Интегральный инвертор инжекционного типа, содержащий переключательный n-p-n-транзистор с эпитаксиальной базой и инжектирующий p-n-p-транзистор с инжектором-подложкой, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления n-p-n- и p-n-p-транзисторов, эмиттеры n-p-n-транзистора выполнены в виде локальных n⁺ скрытых слоев, а под пассивной частью базы n-p-n-транзистора расположен высокоомный слой n-типа проводимости, служащий базой p-n-p-транзистора, толщина которого меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда, и частично перекрывающий локальный n⁺ скрытый слой.

2. Способ изготовления интегрального инвертора по п.1, включающий операции наращивания монокристаллических пленок n- и p-типа проводимости, маскирования, диффузии и создание металлизированной разводки, отличающийся тем, что в монокристаллической подложке p⁺-типа проводимости формируют локальный n⁺ скрытый слой, вскрывают в окисле кремния окно, частично перекрывающее n⁺ скрытый слой, наращивают пленку кремния противоположного типа проводимости подложке, удаляют поликристаллический кремний и окисел кремния, наращивают монокристаллический слой кремния одного типа проводимости с подложкой, вскрывают кольцевое окно по периметру n⁺ скрытого слоя и эпитаксиального слоя n^--типа проводимости, формируют глубокий контакт к n⁺ скрытому слою, после чего создают коллекторные области.