Чистяков Ю.Д.

 Электролит для получения легированной оксидной пленки на кремнии, содержащий этиленгликоль, борную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств легированной оксидной пленки как источника диффузии для формирования слоев p-типа в кремнии, в его состав дополнительно введена ортомышьяковая кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%: Борная кислота - 5 - 15 Азо...

 Электролит для анодного оксидирования кремния, содержащий этиленгликоль и ортофосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью легирования оксидной пленки кремния второй примесью - компенсатором, он дополнительно содержит ортомышьяковую кислоту при следующем соотношении компонентов, об.%: Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 5 - 15 Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,...

 Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором, содержащий ортофосфорную и азотную кислоты и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, он дополнительно содержит азотнокислый эрбий при следующем соотношении компонентов, мас.%: Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 5 10-4 - 5,0 Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,1 - 0,4 Азотнокислый эр...

 Электролит для легирования оксидной пленки кремния бором, содержащий этиленгликоль, борную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных свойств электролита, в его состав дополнительно введен гольмий азотнокислый при следующем соотношении компонентов, мас.%: Борная кислота - 5 - 15 Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,15 - 0,35 Гольмий азотнокислый (пяти...

 Электролит для легирования окисной пленки кремния мышьяком, содержащий азотную кислоту и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости результатов легирования и увеличения срока годности электролита, дополнительно он содержит ортомышьяковую кислоту, а компоненты взяты в следующем соотношении, об.%: Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 4 - 5 Ортомышьяковая кис...

 1. Интегральный инвертор инжекционного типа, содержащий переключательный n-p-n-транзистор с эпитаксиальной базой и инжектирующий p-n-p-транзистор с инжектором-подложкой, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления n-p-n- и p-n-p-транзисторов, эмиттеры n-p-n-транзистора выполнены в виде локальных n+ скрытых слоев, а под пассивной частью базы n-p-n-транзистора расположен...

 Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения...

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование областей скрытого слоя противоположного типа проводимости подложке, маскирование подложки диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон, эпитаксиальное наращивание, диффузию примеси одного типа проводимости с подложкой для формирования базовых областей, диффузию примеси привоположного типа проводимости по отно...

 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ПЛЕНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЯХ, включающий формирование первого и второго маскирующих слоев, фотолитографию и травление, отличающийся тем, что, с целью получения узких отверстий, после формирования на первое максирующее покрытие наносят слой поликристаллического кремния, формируют на его поверхности вспомогательное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для полик...

 Способ изготовления прецизионного металлофольгового резистора, включающий присоединение резистивной фольги к технологической диэлектрической подложке, нанесение маски на резистивную фольгу, удаление маски, формирование рисунка в фольге, нанесение цемента, удаление технологической подложки с последующей подгонкой величины сопротивления к номинальному значению, отличающийся тем, что, с цель...

 1. Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией, содержащая транзисторы и резисторы, изготовленные в областях, изолированных локальными областями, легированными примесью противоположной скрытому и эпитаксиальному слоям типом проводимости, и диэлектриком, отличающаяся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных схем, боковая диэлектрическая изоляция...

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции термического окисления, создания боковой диэлектрической изоляции, нанесения диэлектрического слоя, селективного травления диэлектрического слоя, вскрытия окон в диэлектрических слоях, легирования пассивной и активной базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающ...

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора, нанесение диэлектрических слоев, вскрытие окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, легирование пассивных, активных базовых и эмиттерных областей и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увел...

 СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой - в виде p - n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью п...

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора окисления меза-областей, создания активной и пассивной базовой областей, осаждение нитрида кремния, вскрытие контактных окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование донорной приме...

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование n+ скрытых слоев, наращивание эпитаксиальной пленки, создание противоканальных p+-областей, диэлектрической изоляции, формирование активных областей структур в эпитаксиальной пленке, осаждение пленки поликристаллического кремния для изготовления резисторов, ее легирование, формирование резистивных областей, формирование диэ...

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, формирование глубокого коллектора, окисление меза-областей, создание базовой области, осаждение нитрида кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях к коллектору, активной и пассивной части базовой области, осаждение пленки поликристаллического крем...

 Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления интегральных схем высокой степени интеграции. Целью изобретения является повышение плотности компоновки элементов интегральных схем за счет уменьшения межэлектродных расстояний и уменьшения числа фотолитографических операций за счет последовательного травления второго слоя поликристаллического кремния и диэлектриче...