H01L27/12 - с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика

Способ изготовления тонкопленочных или твердых схем

Союз Советских Социалистических Республик Зависимо» от авт. свидетельства Ко Кл. 21ат, 75 Заявлено 26.VI | |.1965 (№ 1023991/26-9) с присоединением заявки № Комитет по делам иаобретений и открытий ори Совете Министров СССР МПК Н 01п УДК 621.3.049,75 Приоритет Опубликовано 26.1.1967. Бюллетень № 4 Дата опубликования описания 21.III.1967 Автор изобретения Ю. С. Израйлев Заяви...

191662

Патент ссср 233103

ОПИСАНИЕ 233ЮЗ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ Союз Соеетских Социалистических Республик Ф т Зависимое от авт. свидетельства М Кл, 21g, 11/02 Заявлено 29.1Ъ".1967 (№ 1156461 26-25) с присоединением заявки М Приоритет МПК Н Oll УДК 621.382(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано 18.Xll 1968. Бюллетень М 2 за 1969 г. Да...

233103

Полупроводниковое устройство

О Л И С А Н И Е 243676 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 15.1Х.1967 (№ 1184032/26-25) с присоединением заявки № Приоритет 16.XI.1966 Опубликовано 05.V.1969, Бюллетень № 16 Дата опубликования опчсания 18. IX.1969 Кл. 21g, 11/02 МПК Н 011 УДК 621.382(088.8) Комитет по делам изобретений...

243076

Прибор с интегральной схемой

Союз Соаетских Социалистииеских Республик П ИСА ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ К AATEHYV (61) Дополнительный к патенту (22) Заявлено 18.04,75 (21) 2129165/18 25 (23) Приоритет вЂ” (32) 19.04.74 (51) М. Кл. Н 01 1 29/76 Н Ol 1 27/12 Государственный ноинтет С С С.Р оо делам нзобретвннй и открытий (31) 462494 (331 США Опубликовано 05 08.79. Бюллетень № 29 Дата опубликования описания 05.08.79...

679168

Интегральный инвертор и способ его изготовления

1. Интегральный инвертор инжекционного типа, содержащий переключательный n-p-n-транзистор с эпитаксиальной базой и инжектирующий p-n-p-транзистор с инжектором-подложкой, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления n-p-n- и p-n-p-транзисторов, эмиттеры n-p-n-транзистора выполнены в виде локальных n+ скрытых слоев, а под пассивной частью базы n-p-n-транзистора расположен...

698454

Хлоралюминий-(3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей

Хлоралюминий-3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин формулы в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей.

1614465

Гибридная интегральная схема

Сущность изобретения: кристаллы схемы установлены в застывшем расплаве эвтектического состава. Многослойная коммутация нанесена над кристаллами по планарной технологии. Металлическая подложка является шиной питания. 1 ил. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (5!)5 Н 01 1 27/12 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ (2...

1808148

Способ изготовления гибридной интегральной схемы

(19) RU (11) (51) 5 Н 011 27 12 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ Комитет Российской Федерации но патентам и товарным знакам {21) 4893693/21 (22) 26.12.90 {46) 15Л 1.93 Бюп. Na 41-42 (73) Институт точной механики и вычислительной техники им.САлебедева РАН (72). Пырченков В.Н, (73) Институт точной механики и вычислительной техники им.САПебедева PAH (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИД...

2003207

Полевой транзистор

Использование: в криоэлектронике при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности полностью сверхпроводниковых интегральных схем. Сущность изобретения: полевой транзистор выполнен на подложке из диэлектрического материала. На подложке расположены буферный слой с расположенными на нем проводящим каналом и затвором, выполненным из диэлектрического материала. К...

2029415

Многокристальный модуль

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых микросхем. Многокристальный модуль содержит несколько полупроводниковых кристаллов, контактные площадки которых расположены на одном уровне, а межкристальное пространство заполнено безусадочной конструктивной связкой, не выступающей за лицевую поверхность, которая формирует моно...

2140688

Структура - кремний на изоляторе для сбис (варианты)

Использование: микроэлектроника, производство СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в структуре - кремний на изоляторе для СБИС, содержащей первый и второй кремниевые слои, диэлектрический слой и слой силицидов металлов между ними, изолированные вторым диэлектрическим слоем области в кремниевом слое, предназначенном...

2149482

Планарная совмещенная нейроструктура для убис кни

Использование: при конструировании устройств и структур интегральной полупроводниковой микроэлектроники и кремниевой наноэлектроники, в частности интегральных нейроподобных структур нейро-БИС и нейро-ЭВМ. Сущность изобретения: предлагается планарная совмещенная нейроструктура для УБИС КНИ, содержащая в основании центральную сильнолегированную p+-область, поверх которой расположен p-слой с...

2175460

Интегральная схема свч

Изобретение относится к интегральным схемам СВЧ и может быть использовано в электронной технике СВЧ. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, выполненную из алмаза, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, на обратной стороне диэлектрической подложки выполнено металлизационное покрытие, при этом элементы интегральной схемы электрич...

2556271

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии. В качестве материала подложки могут использова...

2618279

Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик. Мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит электропроводное основание из теплопроводящего материала с низким коэффициентом теплового линейного расширения, на котором установлены эле...

2659752

Разводка матрицы транзисторов

Использование: для создания массива транзисторов. Сущность изобретения заключается в том, что устройство, представляющее собой массив транзисторов, содержит первый проводящий слой, находящийся на первом уровне и задающий множество первых проводников, образующих электроды затвора или истока для указанного массива транзисторов, и второй проводящий слой, находящийся на втором уровне и задающий множес...

2660318

Тонкопленочный транзистор с низким контактным сопротивлением

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку. Транзистор дополнительно содержит (i) несущий инжекционный слой (103), расположенный выше изолирующего слоя (102) затвора, (ii) слой (104) электрода истока/с...

2662945

Подавление токов утечки в устройстве на тонкопленочных транзисторах

Группа изобретений относится к области полупроводниковых устройств. Способ подавления токов утечки в устройстве, содержащем структурированный проводящий слой, образующий цепь электрода истока и цепь электрода стока для множества транзисторов, полупроводниковый слой, обеспечивающий соответствующий полупроводниковый канал для каждого транзистора между цепью электрода истока и цепью электрода стока,...

2665331

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов и способ ее изготовления, и жидкокристаллический дисплей

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает область расположения электродов пикселей, область расположения электродов данных, прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой аморфного кремния, второй металлический слой, второй диэлектрический слой, сформированные в области располо...

2666815

H01L27/12 - с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика

Патенты в этой категории