Полупроводниковое устройство

Полупроводниковое устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О Л И С А Н И Е 243676

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 15.1Х.1967 (№ 1184032/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет 16.XI.1966

Опубликовано 05.V.1969, Бюллетень № 16

Дата опубликования опчсания 18. IX.1969

Кл. 21g, 11/02

МПК Н 011

УДК 621.382(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

Иностранец

Дитрих Армгарт (Германская Демократическая Республика) Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Предмет изобретения

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в особенности к активным и пассивным структурным элементам в микроминиатюрных полупроводниковых функциональных блоках.

Известные полупроводниковые устройства со слоями различной проводимости не выдерживают больших пробивных напряжений из-за того, что р — n-переходы искривлены вблизи места выхода на поверхность.

С целью повышения надежности полупроводниковых устройств в интегральном микроминиатюрном исполнении, в предлагаемом устройстве критические р — и-переходы выполнены перпендикулярно к изоляционному слою, В полупроводниковой пластине делают односторонние углубления, осаждают тонкий непроводящий слой, прерываемый в зоне активных структурных элементов, с последующим наращиванием высоколегированного полупроводникового слоя, который отделяют по крайней мере в тех местах, где нет активного элементаа.

Полупроводниковое устройство изображено на чертеже.

Оно содержит непроводящий слой 1 ЯОг, контактные площадки 2, высоколегированный

5 полупроводниковый слой 8, толстый непроводящий слой 4 и поликристаллический кремниевый слой б.

B такой конструкции критические р — и-пе10 реходы расположены перпендикулярно к изоляционному слою SION, что позволяет повысить их пробивное напряжение. Таким образом могут быть изготовлены как триодные, так и четырехслойные структуры.

Полупроводниковое устройство со слоями

20 различной проводимости, отличающееся тем, что, с целью повышения пробивного напряжения переходов, критические р — n-переходы выполнены перпендикулярно к изоляционному слою.

243076

Составитель О. Б. Федюкина

Редактор Б. Б. Федотов Техред А. А. Камышникова Корректор А. С. Колабин

Заказ 2379/11 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2