Гибридная интегральная схема

Гибридная интегральная схема

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Сущность изобретения: кристаллы схемы установлены в застывшем расплаве эвтектического состава. Многослойная коммутация нанесена над кристаллами по планарной технологии. Металлическая подложка является шиной питания. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5!)5 Н 01 1 27/12

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ (21) 4893694/21 (22) 26.12.90 (46) 07.04,93, Бюл. ¹ 13 (71) Институт точной механики и вычислительной техники им, С.А,Лебедева (72) В.Н,Пырченков (73) Институт точной механики и вычислительной техники им, С.А,Лебедева (56) 1, Патент США N 4766670, кл. Н 05 К

3/34, 1988.

2. Заявка Великобритании N 1426539, кл, Н 01 1 27/12, 1974.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем.

Целью изобретения является повышение прочности, На чертеже изображена гибридная интегральная схема, содержащая керамическое основание 1, металлическую подложку

2. В металлической подложке 2 установлены полупроводниковые кристаллы 3 с нижней поверхностью 4 и лицевой поверхностью 5, причем лицевая поверхность 5 полупроводниковых кристаллов 3 находится на одном уровне с поверхностью металлической подложки 2, Выводы 6 питания полупроводниковых кристаллов 3 соединены с металлической подложкой 2, Элементы 7 многослойной коммутации расположены на планарной поверхности подложки с полупроводниковыми кристаллами 3. На выводной рамке 8 находятся планарные контакты

9, сверху устройство закрыто крышкой 10, „„Ы„„18ОВИ8 АЗ (54) ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (57) Сущность изобретения: кристаллы схемы установлены в застывшем расплаве эвтектического состава. Многослойная коммутация нанесена над кристаллами по планарной технологии, Металлическая подложка является шиной питания. 1 ил.

В предлагаемой конструкции гибридной интегральной схемы полупроводниковые кристаллы 3, установленные в металлической подложке 2 таким образом, что их лицевая поверхность 5 находится на одном уровне с металлической подложкой 2, ляется своеобразным теплорассекателем для теплонагруженных элементов, создающим одинаковый температурный режим работы кристаллов 3.

Металлическая подложка 2 также выполняет функции шины питания при соединении выводов 6 кристаллов 3 с ней. Это позволяет сократить количество слоев тонкопленочных проводников и снизить токовую нагрузку, образуя монолитную структуру с безрельеф- (ф ной поверхностью, позволяют уменьшить количество планарных операций по созданию многослойной коммутации. что увеличивает надежность устройства. Кроме того, металлическая подложка 2, в которой находятся полупроводниковые кристаллы 3, яв- ОО

1808148

Составитель В.Перченков

Техред М,Моргентал Корректор Е.Папп

Редактор Л.Волкова

Заказ 1401 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул.Гагарина 1п1

Таким образом, предлагаемая конструкция гибридной интегральной схемы при упрощении повышает ее надежность, Формула изобретения

Гибридная интегральная схема, содержащая металлическую подложку с запрессованными в ней полупроводниковыми кристаллами и элементы многослойной коммутации, о т л и ч а ю ща я с я тем, что, с целью повышения прочности, введено керамическое основание, с которым соединена подложка, верхняя плоскость которой выполнена на. одном уровне с лицевой поверхностью кристаллов, при этом одноименные выводы питания кристаллов соединены с металлической подложкой.