Маслобоев Ю.П.

 Элемент интегральной оптики, волноводные области которого ограничены с двух противоположных сторон слоями структуры, а с двух других сторон - областями с меньшим показателем преломления, отличающийся тем, что, с целью улучшения волноводных свойств элемента при одновременном создании его сложной конфигурации на глубине до 50 мкм, области с меньшим показателем преломления выполнены из собст...

 Способ получения изолирующих покрытий по авт. св. N 940601,отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения заряда в диэлектрических слоях при формировании диэлектрических слоев из газовой фазы, в нее дополнительно вводят триметилгаллий при мольном отношении к триметилалюминию (0,3 oC 10) : 1 и моногерман при мольном отношении к триметилгаллию и триметилалюминию (10-4 - 10-6) :...

 1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между ак...

 Изобретение относится к физическим методам исследования и может быть использовано для определения параметров ловушек в полупроводниковых материалах. Цель изобретения - повышение точности определения параметров. Согласно изобретению, измерение проводят при двух значениях температуры образца. На него подают пары импульсов напряжений, заряжающих ловушки. Длительность импульсов одинакова и пр...