Притулов А.М.

 Способ синтеза ферритов, включающий смешивание и помол ферритообразующих компонентов, нагревание смеси до температуры ферритизации, выдержку ее при данной температуре и последующее охлаждение отличающийся тем, что, с целью повышения однородности ферритов и эффективности процесса, нагревание смеси проводят облучением проникающим электронным пучком и сохранят облучение до окончания выдержки...

 Способ изготовления дозиметрического материала, заключающийся в выращивании монокристалла окиси магния, легированного ионами трехвалентного алюминия, отличающийся тем, что, с целью устранения паразитного оптического поглощения материала в области информационной полосы, материал после выращивания облучают проникающим пучком протонов дозой 1107 - 5107 рад.

 Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия, включающий ионное легирование пластин из арсенида галлия, отжиг путем облучения пучком электронов и последующее охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет снижения температуры отжига, облучение проводят электронами с энергией более 330 кэВ в течение 8-14 с и прекращают...

 Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника, включающий формование изделия, нагрев его до 950oC, термообработку при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров сверхпроводника и сокращения длительности процесса, термообработку проводят в течение 50-60 мин, в процессе охла...

 Способ синтеза иттрий-бариевых купратов, включающий приготовление смеси из исходных компонентов, нагревание до 950oС, термообработку ее при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения содержания орторомбической фазы и сокращения длительности процесса, нагревание смеси и термообработку осуществляют путем электронного облучения, время т...

 Способ обработки иттрий-бариевых высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в облучении сверхпроводника потоком электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения значений плотности критического тока и температуры перехода в сверхпроводящее состояние, облучением потоком электронов нагревают сверхпроводник до 400-620oC и выдерживают его при этой температуре в течение 40-60 мин,...

 Способ изготовления ферритовых изделий, включающий формование заготовок из ферритового порошка, нагрев заготовок импульсным облучением проникающим электронным пучком до температуры спекания, выдержку при данной температуре под облучением и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения электромагнитных характеристик ферритовых изделий, охлаждение осуществляю...

 Способ изготовления ферритовых изделий включает синтез ферритового материала, приготовление пресс-порошка, содержащего легкоплавкую добавку, формирование заготовок, нагрев заготовок до температуры плавления легкоплавкой добавки проникающим непрерывным электродным пучком, выдержку при этой температуре в течение 10 - 20 мин, дальнейший нагрев заготовок до температуры спекания и выдержку при...

 Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано для измерения температуры радиационно-разогреваемых объектов контактным способом. Способ включает введение измерительного спая термопары в контакт с контролируемым объектом и регистрацию термоЭДС. При этом спай термопары вводят в контакт с контролируемым объектом на расстояние, которое зависит от пр...

 Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для определения параметров диффузии кислорода в твердых поликристаллических телах в материаловедении и физике твердого тела. Образец нагревают, выдерживают в нагретом состоянии, охлаждают, измеряют в образце глубинное распределение энергии активации электрической проводимости. После этих операций определяют...

 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения распределения компонент тонкопленочных структур. Тонкую пленку наносят на подложку, на тонкую пленку накладывают металлическую диафрагму с отверстием, подложку с диафрагмой помещают в масс-спектрометр, снимают временной спектр вторичных ионов, определяют распределение компонент тонкой пленки по глубине...

 Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано для определения упругих напряжений в ферритовых изделиях. Изделие нагревают до температуры Кюри, намагничивают, определяют величину начальной магнитной проницаемости н, прекращают нагрев, по мере естественного охлаждения изделия определяют н для различных температур, строят график температурной зави...