Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия
Патент 1554670
Авторы
Классы МПК
Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия
Реферат
Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия, включающий ионное легирование пластин из арсенида галлия, отжиг путем облучения пучком электронов и последующее охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет снижения температуры отжига, облучение проводят электронами с энергией более 330 кэВ в течение 8-14 с и прекращают при температуре пластин 490-600oC.