H01L21/263 - с высокой энергией (H01L 21/261 имеет преимущество)

Способ изготовления полупроводниковых @ - @ -структур

II I) 4l4925 ОП АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое or авт. свпд-ва (22) Заявлено 14.12.71 (21) 1724729. 26-25 (51) М. Кл 3 Н 01K 21.г26 с присоединением заявки № Государствениый комитет (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.08.82. Бюллетень ¹ 32 (45) Дата опубликования описания 30.08.82 по делам изобретений и от...

414925

Способ определения глубины нарушенного слоя полупроводниковой пластины

О П :И;.C"À.",3 и E изоб итиния Союз Советских Соцмалмстммескмх Респубпмк »599662 К АВТОРСКОМУ СВИДЙТИЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 01.08.76 (21}2387659/18-25 с присоединением заявки № (23) Прнорытет 2 (5l) М. Кл. H C1 4 21/263 Государстаеккый комитет Совета Мкнкстроа СССР ко делам кзооретенкй и открыткй (43) Опублыковано25.10.78.Бюллетень № 38 (53) у...

599662

Способ создания в кремнии слоев @ -типа проводимости

Способ создания в кремнии слоев П-типа проводимости, включающий бомь'» бардировку протонами исходного крем,- ния и последую[ций отжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения радиационной стойкости полученных слоев и обеспечения их пространственной устойчивости при различных температурах, бомбардировку проводят с энергиями не ниже 500 кэВ до концентраций в слое 10 10^° с...

649270

Способ изготовления термочувствительныхполупроводниковых элементов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СоюЗ Советскими Социйлистическик республик < 479025 К А8ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 030877 (23) 2516013/18-25 с присоединением заявки Йо (23) Приоритет Опубликовано 070881: Бюллетень Hо 29 Дата опубликования описания 07.0881 {5!)М. Кл.з Н 01 L 21/263 Государственный комитат СССР по делам изобретенйй и открытий...

679025

Способ маркирования участка поверхности полупроводникового кристалла,соответствующего объемному микродефекту

(»)728183 Ь П И Ж-"И:-МЖ ИЗЬБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Реслублик * «г К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) .Заявлено 06.10.77 (21) 2539147/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) ПриоритетвЂ” (51) М.кл . Н 01 L21/26 G 01 N 23/225 Гесударстеенный крмнтет СССР до делам изобретений н открытий (53) УДК 621.382. .002 (088.8) Опу...

728183

Способ обработки эпитаксиальных слоев кремния

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскмк Соцмалмстмческмх Реслублнк

736219

Способ повышения радиационной стойкости кремния

Способ повышения радиационной стойкости кремния, включающий термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств кремния, термическую обработку проводят в интервале температур 500 - 600oC в течение 100 - 800 ч в неактивной среде.

847839

Способ повышения стабильности характеристик кремния

1. СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ СТАБИЛЬНОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМЩЛЯ к термическим и временным факторам, включающий облучение элект роками или «-квантами с энертией О,5- :2О МэВ в сочетании с отжигом, о т « личаюшийся тем, что, с целью ;увеличения степени стабильности харак .тернстик кремния, .облучение провоцят с дозой Ф « 1О в- 1О частиц/см, а отжиг ведут при 740-1О70°К. 2.Способ по...

849928

Способ обработки поверхностно-барьерных структур на основе соединений @ @

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ дв Вх, включающий йанесе ние на поверхность структуры :металлического покрытия и последующую обработку, стимулируюсцую геттерирование границей раздела металл-проводник рекомбинационных центров из обвема структуры, о т лич .ающийсГя тем, что, с целью увеличения времени жизни неосновных носителей тока при одновре...

921378

Способ изготовления магнитодиодов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОДИОДОВ , включающий операции создания инжектирующего и невыпрямляюi щего контактов на пластине полуизолирующего кремния, измерения электрических параметров, технологической доводки магниточувствительности до максимального значения, разделения пластины на отдельные структуры , сборки и герметизации приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения пр...

972973

Способ увеличения адгезии тонких металлических пленок к подложкам

СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ АДШЗИИ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК К ПОДЛОЖКАМ , включающий их облучение после напыления в вакууме корпускулярным излучением ,.о тличающийся тем, что, с целью уменьшения воздействия на физические и химические свойства пленки и подложки, при одновременном упрощении и удешевлении оборудования, пленки облучают пучком электронов с энергией, меньшей 50 кэВ но достато...

1019965

Способ обработки структур кремний-двуокись кремния

Способ обработки структур кремний - двуокись кремния, включающий термообработку структур в интервале 200-300oC и одновременное облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью пониженного избыточного положительного заряда в структурах, облучение осуществляют электронами энергией 0,18-3,5 Мэв дозой 1014-1015 элсм-2.

1031367

Способ получения ядерно легированного германия

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО ЛЕГИРОВАННОГО ГЕРМАНИЯ, включающий облучение германия естественного изотопного состава нейтронами о т л ичающийся тем, что, с целью повышения степени компенсации облучение проводят резонансными нейтронами или резонансными и тепловыми нейтронами . СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (!9) (I!) (59 4 С 30 В 31 20 Н 01 L 21/263 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ...

1100959

Способ изготовления планарных полупроводниковых приборов и интегральных схем

СПОСОБ ИЗ ГО ТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий бомбардировку полупроводниковой пластины : . ионами и термообработку при темпераг. туре 670-JOOO К, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения качества полупррводниковых приборов и интегральных схем путем устранения образовавшихся стержнеобразных дефектов , после термообработки пров...

1102416

Способ изготовления быстродействующих мощных тиристоров

Способ изготовления быстродействующих мощных тиристоров, включающий облучение тиристорных структур, выполненных из бестигельного кремния, электронами с последующим термоотжигом, отличающийся тем, что, с целью оптимизации параметров тиристоров, облучение проводят дозой (4 - 10) 1014 см-2 и термоотжиг проводят при температуре 425 - 440oC в течение 2 - 3 ч.

1151148

Способ отжига дефектов в кремнии

(19)SU(11)1253380(13)A1(51) МПК 5 H01L21/263(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых материалов, в частности к способам отжига радиационных дефектов, полученных ионной бомбардировкой...

1253380

Способ геттерирования атомов тяжелых металлов и дефектов в полупроводниках

Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых материалов и приборов от рекомбинационно-активных примесей. Цель изобретения - повышение эффективности геттерирования и снижение температуры процесса. Достигается за счет облучения полупроводниковой структуры с геттерирующим слоем легкими частицами высоких энергий. Отжиг,проводится одновременно с облучением илипосле нег...

1313254

Способ изготовления мдп бис

Изобретение относится к микроэлектронике. Цель повышение выхода годных, а также надежности и стабильности характеристик МДП БИС. В процессе изготовления БИС осуществляют подгонку порогового напряжения МДП-транзисторов облучением рентгеновским излучением с энергией квантов 100 кэВ дозой, определяемой по формуле D = Un/d2, где = 610-6Pсм2/В, Un величина подгонки порогового напряжения; B, d...

1384106

Способ радиационной обработки арсенидгаллиевых свч полевых транзисторов

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам радиационной обработки арсенидгаллиевых СВЧ полевых транзисторов. Цель изобретения - повышение выхода годных за счет уменьшения коэффициента шума и повышения коэффициента усиления по мощности. Готовые СВЧ полевые транзисторы помещают в металлические кассеты и заземляют внешние выводы транзисторов, подсоединяя их к металли...

1468318

Способ изготовления мдп-транзисторов

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП- транзисторов интегральных микросхем. Цель изобретения заключается в повышении точности подгонки пороговых напряжений и увеличении выхода годных МДП-транзисторов. Для этого после изготовления полевого окисла проводят ионное легирование подзатворной области для предварительного сдвига средне...

1499614

Способ изготовления биполярных транзисторов

СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН „„БУ„„ДЩЯОВ (51) 5 Н 01 Ь 21/263 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46)* 23.05.93. Бюл. . (21) 4367394/25 .(22) 21.01.88 (7l) Научно-исследовательский инсти" тут прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко (72) Н.Ф.Голубев, З.И.Гутько, А.В..Латышев:, В...

1544108

Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия

Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия, включающий ионное легирование пластин из арсенида галлия, отжиг путем облучения пучком электронов и последующее охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет снижения температуры отжига, облучение проводят электронами с энергией более 330 кэВ в течение 8-14 с и прекращают...

1554670

Способ изготовления светодиодных структур

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению источников света с излучением в зеленой, голубой и других областях спектра в зависимости от выбранного политока подложки. Целью изобретения является обеспечение воспроизводимости параметров. На подложке из SIC формируют p-n-переход, методом эпитаксии, сначала наносят слой SIC p-типа проводимости, а затем слой...

1632278

Способ изготовления биполярных транзисторов

Изобретение относится к микроэлектро нике и может быть использовано при изготовлении транзисторов в изделиях, эксплуатируемых в условиях воздействия радиации. Сущность: готовые структуры биполярных транзисторов облучают электронами флюэнсом (10 5-5,1016)см.2, затем проводят отжиг при 280-320°С в течение 0,5-1 ч, после этого проводят в Планерную сторону структуры имплантац...

1800501

Способ изготовления силовых кремниевых диодов

Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию...

1809701

H01L21/263 - с высокой энергией (H01L 21/261 имеет преимущество)

Патенты в этой категории