Способ изготовления силовых кремниевых диодов
Патент 1809701
Авторы
- Аринушкин В.Н.
- Берман Л.С.
- Волле В.М.
- Воронков В.Б.
- Гейфман Е.М.
- Грехов И.В.
- Козлов В.А.
- Ломасов В.Н.
- Ременюк А.Д.
- Ткаченко В.Н.
- Толстобров М.Г.
Классы МПК
Способ изготовления силовых кремниевых диодов
Реферат
Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию электронов Eпов выбираю из условия Eпов= a+bxj+Eк, кэВ, где Eпов - энергия электронов на поверхности сильнолегированной области, a = 250 - 500, кэВ, b = 0,4, кэВ/мкм, xj - глубина залегания p-n-перехода, мкм, Eк - уменьшение энергии электронов в контакте к сильнолегированной области, кэВ.