Грехов И.В.

  _#_> 144913 Класс 21g> 11nz ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБ ЕтЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л" 97 С. Е. Портной, И. А. Тепман, И. Г. Учайкин, П. Г. Тимошик, И. В. Грехов и Л. В. Лебедева МАЛОГАГАРИТНЪ|й ГЕРМАНИЕВЪ|й ВЕНТИЛЪ,Заявлено 13 февраля 1961 г. за ¹ 697497/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опуб>ликован» в к>.>петене >зоб>ретеви...

 Тиристор с шунтировкой эмиттерного перехода, выполненной в виде каналов, проходящих от базового слоя сквозь эмиттерный слой к токоподводящему электроду, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выключения и уменьшения времени выключения, контакт к шунтирующим элементам выполнен в виде барьера Шоттки.

 Полупроводниковый переключающий прибор, содержащий тиристорную и диодную структуры с общей слаболегированной базой, причем слаболегированная база тиристорной структуры имеет слой с повышенной концентрацией легирующей примеси, прилегающей к эмиттеру, отличающийся тем, что, с целью защиты от ложного срабатывания, слаболегированная база диодной структуры имеет толщину меньшую, чем база тирис...

 1. Коммутатор постоянного тока, содержащий размыкатель, тиристорный блок, цепь принудительной коммутации тиристорного блока, диодный блок, катодный вывод тиристорного блока соединен с одним из выводов размыкателя, анодный вывод тиристорного блока подключен к катодному выводу диодного блока, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности устройства путем обеспечения бездуговой коммута...

 Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей, содержащий тетраэтоксисилан, воду и концентрированную соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества защиты от диффузии примесей III и V групп и защиты от диффузии щелочных металлов, он содержит пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония при следующем соотношении компонентов, мас....

 1. Сильноточный импульсный модулятор, содержащий источник питания, отрицательный полюс которого соединен с первым выводом накопителя, второй вывод которого через зарядную цепь подключен к положительному полюсу источника питания, а через нагрузку - к аноду коммутирующего прибора, генератор импульсов управления, отличающийся тем, что, с целью увеличения частоты повторения импульсов, в него...

 1. Мощный импульсный генератор, содержащий первый динисторный блок, включенный в прямом направлении последовательно с нагрузкой между полюсами импульсного источника питания, выполненного в виде заряженного емкостного накопителя, источник однополярных управляющих импульсов и последовательную цепь из второго динисторного блока, накопительного конденсатора и нелинейного элемента, причем втор...

 Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей III и V групп и щелочных металлов, содержащий тетраэтоксисилан, воду, концентрированную соляную кислоту и пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония, отличающийся тем, что, с целью сохранения стабильности свойств, он дополнительно содержит соль металла из группы лантанидов при следующем соотношении ко...

 Способ переключения тиристора с обратной проводимостью из прямого блокирующего состояния управляющим импульсом обратного анодного тока с последующим приложением импульса прямого нагрузочного тока, отличающийся тем, что, с целью уменьшения энергии управляющего импульса, перед приложением импульса прямого нагрузочного тока прикладывается дополнительный импульс прямого анодного тока, при это...

 Мощный быстродействующий тиристор на основе p-n-p-n-структуры, содержащий p- и n-эмиттеры, базовые области p- и n-типов проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения нагрузочной способности по току и рабочей частоты за счет увеличения площади структуры и уменьшения ее толщины, базовая область n-типа проводимости со стороны p-эмиттера выполнена с выступами, образующими на поверхно...

 Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для систем питания мощных лазеров, в видеоимпульсной радиолокации и т.д. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей - достигается в результате обеспечения возможности регулирования частоты следования импульсов. Предложенный генератор содержит источник 1 постоянного тока, зарядные элементы 2, 14, 15, ключи...

 Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p+-n-p-n+ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n+ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирован...

  Изобретение относится к полупроводниковой импульсной технике, а именно к полупроводниковым приборам для формирования высоковольтных перепадов напряжения наносекундного диапазона. Целью изобретения является увеличение диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока. В основе работы диода лежит физический процесс накопления носителей в слаболегированных слоях на этапе накачки с п...

 Изобретение относится к области мощной импульсной техники и может быть использовано в системах питания мощных лазеров, в видеоимпульсной радиолокации и т.д. Оно решает задачу увеличения быстродействия генератора мощных наносекундных импульсов за счет уменьшения времени нарастания и спада напряжения на нагрузке. Генератор мощных наносекундных импульсов, содержит дрейфовый диод с резким вос...

 Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию...

 Использование: изобретение может быть использовано при конструировании приборов сильноточной электроники и микроэлектронной техники. Сущность: способ включает гидрофилизацию кремниевых пластин, помещение пластин в раствор, содержащий не менее 1 об.% плавиковой кислоты в деионизованной отфильтрованной воде, промывку пластин в деионизованной отфильтрованной воде, затем пластины соединяют по...

 Применение: в реверсивно-управляемых приборах транзисторного и тиристорного типа для уменьшения мощности цепи накачки при коммутации больших токов. Сущность изобретения: вполупроводниковую структуру в базовый слой на границе с эмиттерным слоем введены участки с концентрацией легирующей примеси, не менее чем на порядок превышающей концентрацию легирующей примеси в базовом слое того же типа...

 Изобретение относится к сильноточной полупроводниковой электронике и может быть использовано в лазерной и ускорительной технике. Цель изобретения является уменьшение потерь энергии в генераторе наносекундных импульсов на базе дрейфового диода с резким восстановлением. Полупроводниковый генератор наносекундных импульсов содержит дрейфовый диод с резким восстановлением, цепь обратного тока,...

  Использование: в криоэлектронике при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности полностью сверхпроводниковых интегральных схем. Сущность изобретения: полевой транзистор выполнен на подложке из диэлектрического материала. На подложке расположены буферный слой с расположенными на нем проводящим каналом и затвором, выполненным из диэлектрического материала. К...

 Использование: в оптоэлектронике. Сущность изобретения: люминесцентный прибор содержит легированную полупроводниковую подложку с размещенным на ней полупроводниковым слоем, туннельно - тонкий диэлектрический слой и прозрачный в видимой области спектра электропроводящий слой. Подложка выполнена из кремния, а полупроводниковый слой - из пористого кремния с противоположным подложке типом про...

 Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании активных и пассивных элементов криоэлектронных схем, в особенности элементов на основе многослойных структур сверхпроводник-изолятор. Задачей изобретения является получение керамического материала, имеющего кристаллическую решетку, совпадающую с решеткой IBa2Cu3O7-y и удельное сопротивление, плавно изменяющееся...

  Использование: в полупроводниковой технике при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе высокопроводящие участки сформированы внутри базового слоя регулярно на глубине не менее ширины области объемного заряда эмиттерного перехода и толщиной не более разности между расстоянием от поверхн...

 Использование: интегральная микроэлектроника, конструкция сверхбыстродействующих транзисторов. Сущность изобретения: транзистор содержит коллектор из полупроводникового материала, базу из материала с металлической проводимостью и эмиттер, состоящий из проводящего материала и дополнительного слоя туннельнотонкого диэлектрика толщиной, отвечающей соотношению d больше или равно Ei/q пр, где...

 Использование: в криоэлектронике при создании сверхпроводниковых интегральных схем. Сущность изобретения: полевой транзистор содержит монокристаллическую подложку, канал из сверхпроводящего материала, слой диэлектрического материала, два буферных слоя, дополнительные диэлектрический слой и затвор. Буферные слои выполнены из материала с кристаллической решеткой, одинаковой с решеткой матер...

 Использование: в технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, а именно при изготовлении мощных быстродействующих реверсивно включаемых динисторов. Сущность изобретения: в способе изготовления силовой многослойной полупроводниковой структуры, заключающемся в создании диффузией или имплантацией на поверхности пластины заданного распределения легирующей примеси, последующим сра...