Способ изготовления тиристорных структур

Реферат

 

Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p+-n-p-n+ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n+ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирования p+-n-p-n+ слоев, облучение ведут при интенсивности потока протонов не более 1010 прот см-2 с-1 и энергии протонов, обеспечивающей длину из пробега Х в структуре, удовлетворяющую соотношению Хj < Х < Хj + Wn - W'n, где Хj - глубина залегания коллекторного p-n-перехода; Wn - ширина n-базового слоя; W'n - расчетная ширина слоя объемного заряда в базе n-типа при максимальном блокируемом напряжении, затем осуществляют отжиг облученных структур при температуре 230 - 250oС в течение 3 - 5 ч, после чего проводят изготовление и пассивацию краевого контура.