Способ изготовления тиристорных структур

Способ изготовления тиристорных структур

Реферат

Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p⁺-n-p-n⁺ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n⁺ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирования p⁺-n-p-n⁺ слоев, облучение ведут при интенсивности потока протонов не более 10¹⁰ прот см^-2 с^-1 и энергии протонов, обеспечивающей длину из пробега Х в структуре, удовлетворяющую соотношению Х_j < Х < Х_j + W_n - W'_n, где Х_j - глубина залегания коллекторного p-n-перехода; W_n - ширина n-базового слоя; W'_n - расчетная ширина слоя объемного заряда в базе n-типа при максимальном блокируемом напряжении, затем осуществляют отжиг облученных структур при температуре 230 - 250^oС в течение 3 - 5 ч, после чего проводят изготовление и пассивацию краевого контура.