Гусинский Г.М.

 Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p+-n-p-n+ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n+ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирован...

 Использование: в радиоэлектронной технике, в частности в конструкции электролитических конденсаторов (ЭК). Сущность изобретения: ЭК содержит оксидированный анод и катод, раделенные пористой полимерной прокладкой и помещенные в электролит. Поры прокладки выполнены цилиндрическими или коническими, их геометрические оси составляют с перпендикуляром к поверхности прокладки углы, меньшие или р...

 Использование: в облучающих устройствах при ядерно-физических методах обработки материалов, в частности в устройствах для изготовления трековых мембран для уменьшения вероятности наложения треков корпускулярного излучения в пленочном материале при сохранении производительности трековых мембран и энергии облучающих частиц. Сущность изобретения: технический результат достигается двумя вариа...