Найденов В.О.

 Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p+-n-p-n+ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n+ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирован...