Способ формирования линейных субмикронных структур в полупроводниковых и диэлектрических пластинах
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания. На поверхность полупроводниковой или диэлектрической пластины наносят маскирующее покрытие. В маскирующем покрытии с помощью литографических операций создают о...