Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах

Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах

Реферат

Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий насыщение ионных кристаллов водородом и последующее их облучение заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей управления шириной области с равномерным профилем дефектов, кристаллы облучают импульсными потоками электронов с длительностью в наносекундном диапазоне: одиночным импульсом с плотностью тока электронов в импульсе, равной или большей 182 А/см², или последовательностью импульсов с плотностью тока в импульсе, равной или большей 6 А/см², с суммарной поглощенной дозой, равной или большей 0,610³ Гр.