Бикбаева З.Г.

 1. Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий облучение ионного кристалла тяжелыми заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности получения равномерного профиля распределения радиационных дефектов путем увеличения интервала концентрации радиационных дефектов и снижения флюенса заряженных частиц, перед облучением ионного кристалла...

 Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий насыщение ионных кристаллов водородом и последующее их облучение заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей управления шириной области с равномерным профилем дефектов, кристаллы облучают импульсными потоками электронов с длительностью в наносекундном диапазоне: одиночн...