Способ изготовления полупроводниковой структуры
Патент 385536
Авторы
Классы МПК
Способ изготовления полупроводниковой структуры
Реферат
Способ изготовления полупроводниковой структуры путем легирования полупроводника примесями с последующим облучением его потоком быстрых электронов, отличающийся тем, что, с целью локального направленного перераспределения примесей, выбранные участки полупроводника облучают потоком электронов, энергия которых по крайней мере в два раза больше пороговой энергии образования радиационных дефектов полупроводниковой структуры.