Романов С.И.

 Способ изготовления полупроводниковой структуры путем легирования полупроводника примесями с последующим облучением его потоком быстрых электронов, отличающийся тем, что, с целью локального направленного перераспределения примесей, выбранные участки полупроводника облучают потоком электронов, энергия которых по крайней мере в два раза больше пороговой энергии образования радиационных дефе...

 Способ получения сверхпроводящего материала в полупроводнике путем его охлаждения до критической температуры с использованием фазового перехода полупроводник-металл, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и получения сверхпроводящих участков заданной конфигурации, охлажденный до или ниже критической температуры полупроводник облучают импульсами лазера с плотностью энергии ниже п...

  Изобретение относигся к электротехмвсе, преимущественно полупроводниковой микроэлектронике , может быть использовано для создания БИС, СБИС на основе кремния и позволяет получать текстурировамные кремниевые пленки на неориентирукнцих подломках. На поверхность термически (шсленкой кремниевой подложки осаждают пленку аморфного крегцнт разложением моносилана Пленку облучают потоком...

  Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано для создания ИС с полной диэлектрической изоляцией. Целью изобретения является сохранение окислительного свойства пористого кремния за счет снижения температуры процессов и получение заданного топологического рисунка структуры КНИ путем локальной обработки ионным пучком. Поставленная цель достига...

 Использование: для приготовления асфальтобетонных смесей в дорожном строительстве. Сущность изобретения: вяжущее содержит, мас.%: битум 65 - 84; нефтяной остаток установок по подготовке нефти на месте добычи 16 - 35. Нефтяной остаток имеет состав, мас.%: органическая часть, содержащая фракцию, выкипающую до 200oС. , - 30; минеральный порошок глиноземисто-карбонатного происхождения 19; вод...

 Использование: дорожно-строительные материалы, асфальтобетонные смеси, черный щебень, а также устройство конструктивных слоев дорожных одежд методом пропитки и поверхностная обработка дорожных покрытий. Сущность изобретения: вяжущее для дорожного строительства содержит битум и 1,0-1,5 мас. % отхода производства - аналино-анилиновую смолу с аминным числом не ниже 150. Вяжущее имеет глубину...

 Использование: в малогабаритных переносных установках для микросварки, пайки и резки металлов в радиотехнической, электронной, приборостроительной и других отраслях промышленности. Сущность изобретения: устройство содержит последовательно соединенные средством для выхода газа электролизно-водный генератор 2, влагоотделитель 3, водяной затвор 4, газосмеситель 20 и горелку 21. Электролизер...

 Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационно стойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник на пористом кремнии" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния p-типа, сушку в атмосфере кислорода...

 Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационностойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния p-типа, удаление с поверхности пористого сл...

 Изобретение относится к строительству. Сущность: способ включает пропускание через поверхностный слой покрытия переменного электрического поля и измерение электроемкости покрытия. Вначале определяют значение усредненного воздушного зазора в плоскости контакта электродов с покрытием путем измерения электроемкости при минимальном расстоянии между разнополярными электродами и сравнения ее с...

 Изобретение относится к электронной технике преимущественно микро- и наноэлектронике, и может быть использовано в производстве интегральных схем с квантово-размерными гетероэпитаксиальными структурами на изолирующих подложках. Способ окисления кремния основан на анодной поляризации кремния в растворах электролитов. В качестве окислителей используют растворы электролитов в легких гомофункц...