Смирнов Л.С.

  Класс 12=m —.РМ 370S3 АВТОРСКОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО HA ИЗОБРЕТЕНИЕ ОПИС.АНИЕ способа получения высокопроцентного хлористого кальция из его растворов. К авторскому свидетельству Л. С Сиирнова, заявленному 19 ноября 1933 года (спр. о перв. № 137778). О выдаче авторского свидетельства опубликовано 30 июня 1934 года. (83a) Трудность получения высокопроцентного хлористого кальция из ра...

  СССР Класс 12 р, 11 12о, 11 X 598О7 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зарегистрировано е Бюро изобретений Госплана при СНК CCCP Л. С. Смирнов. Способ получения анабазина. Заявлено 10 июля 1939 года в НКЗдрав за br 3150. Опубликовано 30 апреля 1941 года. Предмет изобретения. В растении Anabasis aphylla щавелевая кислота находится частично в виде свободной кислоты...

 Способ изготовления полупроводниковой структуры путем легирования полупроводника примесями с последующим облучением его потоком быстрых электронов, отличающийся тем, что, с целью локального направленного перераспределения примесей, выбранные участки полупроводника облучают потоком электронов, энергия которых по крайней мере в два раза больше пороговой энергии образования радиационных дефе...

 Способ изготовления полупроводниковых приборов с использованием облучения полупроводника высокоэнергетическими легкими частицами, например электронами, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности уменьшения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике, облучение ведут при температуре выше температуры начала собственной проводимости, но ниже температуры эффектив...

 Способ изготовления гетероперехода SiC-Si путем внедрения ионов углерода энергией несколько десятков килоэлектронвольт в кристалл кремния и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности поверхностный состояний на границе раздела, внедрение ионов производят при дозе облучения более 7 1017 см-2.

 Способ синтеза карбида кремния кубической модификации путем внедрения в подложку кремния, нагретую до температуры 600 - 650oC, ионов углерода при плотности тока 15 - 20 мка/см2, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллического карбида кремния в объеме подложки, содержащей внедренные атомы углерода, после внедрения проводят термообработку подложки при температуре 1100 - 1300oC...

 1. Устройство высокого давления к нейтронному дифрактометру, содержащее мультипликатор с камерой высокого давления, включающей контейнер для образца, уплотнительное кольцо и самоуплотняющиеся вкладыши - нейтроноводы, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона давлений при одновременном повышении светосилы дифрактометра, камера высокого давления выполнена тороидальной, а вкладыши...

 Способ повышения радиационной стойкости кремния, включающий термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств кремния, термическую обработку проводят в интервале температур 500 - 600oC в течение 100 - 800 ч в неактивной среде.

 1. Способ получения полупроводниковых структур, включающий создание на поверхности полупроводниковой пластины аморфного слоя и нанесение примеси на полупроводниковую пластину для регулирования скорости кристаллизации в процессе последующей термообработки, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения качества полупроводниковых структур, примесь наносят на пластину со сторо...

 Модулятор инфракрасного излучения, содержащий управляющий источник излучения и модулирующую среду с изменяющимся под действием управляющего излучения пропусканием, отличающийся тем, что, с целью понижения требуемой для управления модулятором мощности управляющего источника и модуляции пучков инфракрасного излучения большой линейной апертуры без искажения их формы, модулирующая среда выпол...

 Способ изготовления варикапов, включающий облучение протонами и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения чувствительности варикапов к малым напряжениям, облучение проводят протонами с энергией, для которой параметры Rp и Rp удовлетворяют условию Lpn< Rp-4Rp< Lpn+LD, где Lpn - требуемая глубина залегания металлургичес...

 Изобретение относится к лакокрасочным материалам для покрытий металлических поверхностей. Изобретение позволяет повысить ударную прочность и коррозионную стойкость и снизить инстираемость покрытий за счет введения порошкообразного шлакового белила двойной сепарации состава, мас.%: 49,5 - 54,8 CaO, 18,0 - 27,5 SiO2, 7,8 -11,4 MgO, 3,3 - 3,6 Al2O3 , 6,5 - 7,7 Cr2O3 , R2O - остальное, в комп...

  Изобретение относится к получению лакокрасочных материалов, в частности сиккативов для алкидных и масляных лакокрасочных материалов. Изобретение позволяет сократить время высыхания покрытий, устранить токсичность сиккативов, повысить стабильность лакокрасочных материалов и снизить их стоимость за счет применения белита шлакового порошкообразного технического от производства силикотермиче...

 Изобретение относится к термометрии и может быть использовано для измерения максимальных температур в атомных реакторах, космических и авиационных моторах. Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых температур. Термоиндикатор содержит подложку 1 из кварца, пленку 2 из аморфного кремния, защитную пленку 3. Пленка 2 аморфного кремния содержит инертный газ в количестве 3 - 5 ат.% 3 и...

 Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе, включающий нанесение диэлектрической пленки на подложку из монокристаллического кремния, нанесение слоя поликремния на диэлектрическую пленку и рекристаллизацию поликремния путем предварительного подогрева структуры и облучения сканирующим сфокусированным лучом, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур при одновременном...

 Изобретение относится к медицине, в частности к медицинской технике, и может быть использовано для фильтрации жидкостей, в том числе биологических. Фильтр включает фильтрующий элемент, выполненный из слоев волокнистого фильтрующего материала, все слои фильтрующего элемента выполнены с последовательным увеличением плотности от периферии к центру перпендикулярно направлению фильтрации, при...

  Использование: при нейтроноструктурных исследованиях конденсированных сред в условиях всестороннего сжатия. Сущность изобретения: керамика для профилированных наковален камеры высокого давления для проведения нейтроноструктурных исследований в геометрии рассеяния 2 = 90 выполнена в следующем соотношении компонентов, мас.%: окись магния 1-5, двуокись титана 8-12, окись алюминия - остально...

 Использование: производство диоксида титана, в частности для пигментов. Сущность способа: через водную суспензию двуокиси титана барботируют аммиак. Суспензию фильтруют, твердую фазу прокаливают при 800 - 1200oC. Изобретение относится к производству двуокиси титана, а именно к способам обесхлоривания двуокиси титана, полученной из хлорного сырья. Известен способ обесхлоривания двуокиси ти...