Способ изготовления гетероперехода sic-si
Патент 463398
Авторы
Классы МПК
Способ изготовления гетероперехода sic-si
Реферат
Способ изготовления гетероперехода SiC-Si путем внедрения ионов углерода энергией несколько десятков килоэлектронвольт в кристалл кремния и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности поверхностный состояний на границе раздела, внедрение ионов производят при дозе облучения более 7 1017 см-2.