Герасименко Н.Н.

 Способ изготовления полупроводниковых приборов с использованием облучения полупроводника высокоэнергетическими легкими частицами, например электронами, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности уменьшения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике, облучение ведут при температуре выше температуры начала собственной проводимости, но ниже температуры эффектив...

 Способ изготовления гетероперехода SiC-Si путем внедрения ионов углерода энергией несколько десятков килоэлектронвольт в кристалл кремния и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности поверхностный состояний на границе раздела, внедрение ионов производят при дозе облучения более 7 1017 см-2.

 Способ синтеза карбида кремния кубической модификации путем внедрения в подложку кремния, нагретую до температуры 600 - 650oC, ионов углерода при плотности тока 15 - 20 мка/см2, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллического карбида кремния в объеме подложки, содержащей внедренные атомы углерода, после внедрения проводят термообработку подложки при температуре 1100 - 1300oC...

 1. Фотоприемник на основе полупроводниковой подложки с по крайней мере одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и расширения ее спектральной области в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона содержит изоэлектронную примесь с концентрацией 1018 - 1021 см-3. 2. Фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что полуп...

 Способ изготовления n-p-переходов с неплоским профилем в кремниевой пластине р - типа, включающий операции ионной имплантации донорной примеси и последующего гермического отжига, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров n-p-переходов, формирование профиля n-p-перехода производят после отжига, для чего на пластину, нагретую до температуры 700 - 800oC, направляют лу...

 Способ обработки кремниевых пластин, включающий механическую обработку поверхности и термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров кремния за счет снижения концентрации дефектов, перед отжигом пластины облучают ионами кремния дозой 5 1014 - 5 1016 см-2 и энергией, обеспечивающей выполнение условия: R d, где R - глубина проникновения ионов в пластину. d - толщин...

 Способ изготовления элементов памяти, включающий последовательное формирование на полупроводниковой подложке первого туннельно тонкого слоя диэлектрика, второго слоя диэлектрика, обладающего эффектом запоминания, и электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения записанной в элемент памяти информации, перед формированием электрода производят ионное легирование второго...

 Полупроводниковый прибор на основе кристалла с p-n-переходом, содержащего область с дефектами структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токов утечки и собственных шумов, указанная область выполнена на расстоянии от p-n-перехода, не превышающем диффузионную длину примеси, и имеет дефекты типа введений второй фазы, объем которых в ней 1 - 10%.

 Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке, включающий нанесение слоя металла на поверхность подложки, нагрев до температуры эпитаксии и введение компонентов ростового вещества в расплав из сепарированного ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и предотвращения испарения летучих компонентов, наносят на слой...

 Полупроводниковый фотоприемник на основе внутреннего фотоэффекта, содержащий кристалл с фотоприемной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона фоточувствительности, над фотоприемной поверхностью расположен варизонный слой, толщина которого не более обратной величины коэффициента поглощения регистрируемого излучения и не менее длины туннелирования носи...

 Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5...

 Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью...

 1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 к...

 Способ ионного внедрения в кристаллические подложки, включающий имплантацию ионов до набора дозы и отжиг путем воздействия импульсного излучения, отличающийся тем, что, с целью избежания накопления радиационных дефектов и снижении температуры полного отжига дефектов, процесс внедрения проводят повторяющимися циклами имплантация-отжиг, причем отжиг проводят после набора дозы не более одной...

 Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технол...

 1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной про...

 1. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примесей и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят постоянным СВЧ-излучением с основной частотой излучения 100 МГц - 3 ГГц, объемной плотностью...

 Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзис...

 Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10-6 - 102С, основ...

 Способ обработки структур кремний - двуокись кремния, включающий термообработку структур в интервале 200-300oC и одновременное облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью пониженного избыточного положительного заряда в структурах, облучение осуществляют электронами энергией 0,18-3,5 Мэв дозой 1014-1015 элсм-2.

 1. Способ создания многослойных проводящих покрытий на полупроводниковых приборных структурах, включающий нанесение пленок диэлектрика, кремния, металла и нагрев, отличающийся тем, что, с целью сокращения числа операций термообработки, на поверхность каждого слоя металла перед нанесением слоя диэлектрика наносят разделительный слой кремния, а нагрев проводят однократно после нанесения все...

 Интегральное фотоприемное устройство, содержащее подложку из кремния с системой обработки информации, отличающееся тем, что, с целью увеличения чувствительности в ИК-области спектра, микроминиатюризации, упрощения и удешевления устройства, фотоэлементы выполнены из силицидов металлов.

 Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металла на кремний и нагрев структуры "металл-кремний" СВЧ-излучением с основной частотой 950 МГц - 1000 ГГц, плотностью поглощенной энергии излучения 0,2 - 2 кДж/см2 в течение 1 - 103 с, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев и упрощения технологического процесса, перед СВЧ-нагревом нанесенный металличес...

 Способ изготовления оптического волновода путем ионной имплантации в кварцевое стекло и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения прозрачности оптического волновода в области 2,7 мкм за счет уничтожения центров захвата паров воды, отжиг проводят в условиях, исключающих контакт облученной поверхности стекла с парами воды и водорода, при температуре 623-673 К.

 Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке, включающий нанесение на нее пленки хрома, фотолитографию по металлу и ионное облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона, пленку перед фотолитографией облучают ионами бора или азота, или углерода с энергией, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов (Rp) в пределах 1/3 Rp dM, где dM - пр...