Полупроводниковый фотоприемник

Полупроводниковый фотоприемник

Реферат

Полупроводниковый фотоприемник на основе внутреннего фотоэффекта, содержащий кристалл с фотоприемной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона фоточувствительности, над фотоприемной поверхностью расположен варизонный слой, толщина которого не более обратной величины коэффициента поглощения регистрируемого излучения и не менее длины туннелирования носителей заряда, причем градиент ширины запрещенной зоны удовлетворяет соотношению где E_g(x) - ширина запрещенной зоны; - подвижность носителей заряда; S - скорость поверхностной рекомбинации; е - заряд электрона; х - координата от фотоприемной поверхности вглубь кристалла.