Способ изготовления моп интегральных схем

Способ изготовления моп интегральных схем

Реферат

Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзисторов и упрощения технологии, после нанесения контактов к истоку и стоку и электродов на затворный диэлектрик, проводят обучение структуры ионами водорода дозами 10¹⁶-10¹⁸ см^-2 с энергией от 50 эВ, соответствующей глубина пробега ионов R_р такой, что R_р d₁, или d₂, где d₁ - толщина окисла в пассивных областях кремниевой пластины, d₂ - толщина электрода затвора, и затем наносят проводящие контактные дорожки.