Полупроводниковый прибор
Патент 824831
Авторы
Классы МПК
Полупроводниковый прибор
Реферат
Полупроводниковый прибор на основе кристалла с p-n-переходом, содержащего область с дефектами структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токов утечки и собственных шумов, указанная область выполнена на расстоянии от p-n-перехода, не превышающем диффузионную длину примеси, и имеет дефекты типа введений второй фазы, объем которых в ней 1 - 10%.