Гаштольд В.Н.

 1. Фотоприемник на основе полупроводниковой подложки с по крайней мере одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и расширения ее спектральной области в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона содержит изоэлектронную примесь с концентрацией 1018 - 1021 см-3. 2. Фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что полуп...

 Способ изготовления элементов памяти, включающий последовательное формирование на полупроводниковой подложке первого туннельно тонкого слоя диэлектрика, второго слоя диэлектрика, обладающего эффектом запоминания, и электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения записанной в элемент памяти информации, перед формированием электрода производят ионное легирование второго...

 Полупроводниковый прибор на основе кристалла с p-n-переходом, содержащего область с дефектами структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токов утечки и собственных шумов, указанная область выполнена на расстоянии от p-n-перехода, не превышающем диффузионную длину примеси, и имеет дефекты типа введений второй фазы, объем которых в ней 1 - 10%.

 Изобретение относится к устройствам вычислительной техники и может быть использовано в электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройствах, сохраняющих информацию при отключенных источниках питания. Цель изобретения - увеличение количества циклов перепрограммирования элемента памяти. Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит второй слой 13 поликремния...

 Изобретение относится к изготовлению из полимерных пленок микропористых мембран с калиброванными размерами пор, которые могут использоваться в электронной промышленности для очистки жидкостей и газов, в пищевой промышленности для очистки и стабилизации соков, пива, вина, выделения белка при сыроварении и т. д. в коммунальном хозяйстве для очистки воды, в медико-биологических исследованиях...

 Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем в микроэлектронике. Сущность изобретения: композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках содержит моносилан, кислород и триэтилфосфат при определенном их количественном соотношении. Изобретение относится к элементоорганическим материалам, в частности к получению л...