Способ изготовления элементов памяти

Способ изготовления элементов памяти

Реферат

Способ изготовления элементов памяти, включающий последовательное формирование на полупроводниковой подложке первого туннельно тонкого слоя диэлектрика, второго слоя диэлектрика, обладающего эффектом запоминания, и электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения записанной в элемент памяти информации, перед формированием электрода производят ионное легирование второго слоя диэлектрика ионами элементов из группы веществ, атомный вес которых превышает атомный вес каждого из составляющих диэлектрик элементов, включающей фосфор, аргон, галлий, мышьяк и криптон, с дозой (5 10¹⁴ - 1 10¹⁶) см^-2 на глубину, равную (0,1 ^oC 0,4) толщины этого слоя.