Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках
Патент 884482
Авторы
Классы МПК
- C23C14 - Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие (разрядные трубки с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда H01J 37/00)
- H01L21/24 - сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой
Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках
Реферат
Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью импульса менее 10-5 с и частотой излучения, определяемой по формуле: где d - толщина металлического покрытия; - проводимость данного металла; - его магнитная проницаемость.