H01L21/24 - сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой

Роевка

М 15327 Класс ЖИт, 18 ПАТЕНТ НА ИЗОБРЕТЕНИЕ Уя r)" ОПИСАНИЕ у ф ЯА с роевки. К патенту А. А. Иаутина, заявяенному 18 января 1928 года (заяв. свид. М 22759). О выдаче патента опубликовано 31 мая 1330 года. Действие патента распространяется на 15 лет от 31 мая 1930 года. Предлагаемая роевка имеет целью служить для сбора пчел и посадки их в улей, в случае, когда осмотр гнезда ил...

15327

Способ изготовления кристаллов для детекторов

Класс 21 а, 38 чи/ авторское свидевьство нд и, иьр(тени(ОПИСАНИЕ способа изготовления кристаллов для детекторов. К авторскому свидетельству М, 3. Кнопова, заявленному 1 июля 1935 года (спр. о перв. ¹ 172053). О выдаче авторского свидетельства опубликовано 31 декабря 1935 года. 5Q,Q% 15,0% 7,5% 7б% 7,5% 12,5% свинцового глета сернистого свинца окиси кобальта мышьяка (техни...

45327

Патент ссср 110731

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОЬРЕТЕНИ.Н K АВТОРСКОМУ CBNAETEAbCTBV № 110731 Класс 21g, 11, Заявлено 03.1Ч.1957 Т БЙ723) г,. Оп оликовано 27.1 V.1963. Бюллетень -Щ -5 у ° ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИИ И ОТКРЫТИИ СССР УДК Подписная группа № 97 И. В. Рыжиков и А. Я. Недобейк СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКО ВОЛЪТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИ...

110731

Способ получения тонкой базы

Класс 21г, 11о Л4 133954 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная грг1тга Л-" 97 A. С. Сущик, А. И. Курносов и Ю. И. Сидоров СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОЙ БАЗЪ| В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ Заявлено 21 марта 1960 г. за № 658930/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 23 за 1960 г. Способ...

133954

Способ получения р-п переходов

№ 152033. Класс Н Ql1; 21д, 11о2 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа J8 97 Г. А. Зеликман, И. П. Лукашова и И. Л. Цитовский СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р-и-ПЕРЕХОДОВ Заявлено 8 января 1962 г. за № 759176/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 23 за 1962 г. Предмет изобретения Сп...

152033

Способ изготовления германиевых планарных р_„_р- транзисторов

И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскиз Социалистическиз :Республик 293533 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ За виоимое от авт. свидетельства ¹ вЂ”вЂ” Заявлено ЗО.XI I.1968 (№ 1293431/26-25}. . Кл. Н О1! 7/44 Н 01! 3/12 с присоед инен ием заявки №вЂ” Комитет по делам ПриоритетвЂ” Опубликовано 08.1.1973. Б1оллетсяь ¹ 6 Дата опубликовашгя описания 17.1 .1973.изооретений и открытий.при .Совете...

293533

Патент ссср 373794

о НИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Соеетокик Сециалистичеокик Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 20.XI.1967 (№ 1197523/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 12.III.1973, Бюллетень № 14 Дата опубликования описания 22.V.1973 М. Кл. Н 011 7/02 комитет оо делам иваоретений и открытий ори Совете Министров СССР УДК 621.382(088...

373794

Припой для контактов к арсениду галлия

ОПИСАН ИЙ ИЗОБРЕТЕН ИЯ пп 429482 Союз Советских Соцкалистимескмх Уеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 08.06.72 (21) 1795602/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет Опубликовано .25.05.74. Бюллетень № 19 Дата опубликования описания 25.10.74 (51) М. Кл. Н Oll 7/02 Государственный комитет Соввта Министров СССР оо делам...

429482

Материал для омических контактов

Материал для омических контактов к арсениду галлия n-типа на основе олова, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и времени его выжигания, он содержит дополнительно галлий и медь при следующем соотношении компонентов, мас.%: Олово - 54 - 55 Галлий - 36 - 36,5 Медь - 9 - 9,5

596097

Способ изготовления полупроводниковых диодов

Способ изготовления полупроводниковых диодов путем нанесения на подложку определенного типа проводимости слоя диэлектрика, формирования в нем окон, создание области противоположного типа проводимости по отношению к подложке и контактов к ней, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров p-n перехода и упрощения способа, формирование окон, создание области базы и контактов осуществля...

711947

Способ создания силицидов металлов

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5...

884481

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью...

884482

Способ создания многослойных проводящих покрытий

1. Способ создания многослойных проводящих покрытий на полупроводниковых приборных структурах, включающий нанесение пленок диэлектрика, кремния, металла и нагрев, отличающийся тем, что, с целью сокращения числа операций термообработки, на поверхность каждого слоя металла перед нанесением слоя диэлектрика наносят разделительный слой кремния, а нагрев проводят однократно после нанесения все...

1047333

Способ создания силицидов металлов

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металла на кремний и нагрев структуры "металл-кремний" СВЧ-излучением с основной частотой 950 МГц - 1000 ГГц, плотностью поглощенной энергии излучения 0,2 - 2 кДж/см2 в течение 1 - 103 с, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев и упрощения технологического процесса, перед СВЧ-нагревом нанесенный металличес...

1080675

Способ изготовления выпрямительных элементов

Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пла...

1082233

Способ изготовления горизонтальных биполярных транзисторов

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС. Цель изобретения повышение быстродействия транзисторов и упрощение технологии их изготовления. Для этого транзисторы создают на основе кремниевых эпитаксиальных структур со скрытым слоем одного типа проводимости с эпитаксиальным слоем, причем эпитаксиальный слой выполняет функцию...

1537071

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на основе кремния. Цель - повышение выхода годных и улучшение электрических характеристик приборов за счет повышения сплошности соединения кремниевых подложек в двухслойной полупроводниковой структуре. Для этого при изготовлении полупроводниковых приборов создают двух...

1581124

Способ изготовления многослойных кремниевых структур

Использование: микроэлектроника, технология изготовления полупроводниковых структур для снижения механических напряжений в структурах. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых полупроводниковых структур включает формирование на поверхности по крайней мере одной из двух кремниевых пластин слоя тугоплавкого металла, а на поверхности другой пластины слоя полупроводникового матери...

1814430

Способ формирования силицидов металлов

Изобретение относится к полупроводниковой технологии. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины удельного поверхностного сопротивления и относительного разброса значений поверхностного сопротивления силицидов металлов за счет получения глубокого однородного силицидного слоя и упрощение способа. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования силицидов мет...

2405228

H01L21/24 - сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой

Патенты в этой категории